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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Van der Waals Architectures for Next-Generation AI Electronics

Description du projet

Des matériaux 2D sans défaut pour améliorer l’efficacité énergétique de l’IA

L’entraînement et l’exploitation de l’IA nécessitent d’énormes volumes de calculs simultanés, qui consomment une quantité considérable d’énergie. Cette situation conduira les centres de données reposant sur le silicium vers une crise électrique. Le séléniure d’indium – un semi-conducteur 2D ultramince – offre une solution de remplacement économe en énergie, car les électrons s’y déplacent avec une résistance minimale. Cependant, la production à grande échelle de films exempts de défauts reste un obstacle majeur. Financé par le programme Actions Marie Skłodowska-Curie, le projet VANDAI produira du séléniure d’indium de haute qualité en utilisant des couches tampons spécialisées sur du silicium afin d’éliminer les désaccords de maille cristalline. Le processus comprendra la synthèse de ces couches tampons ultraminces, l’analyse des interfaces entre matériaux afin de prévenir les défauts atomiques, l’optimisation du dépôt chimique en phase vapeur, ainsi que l’utilisation de techniques avancées d’imagerie et de spectroscopie pour affiner la croissance des matériaux. À terme, les chercheurs construiront et testeront un prototype de transistor à effet de champ afin de valider ses performances électroniques.

Objectif

VANDAI aims to deliver a breakthrough in sustainable AI hardware by developing wafer-scale, device-quality indium selenide (InSe) transistors as an energy-efficient alternative to silicon. With data centers projected to consume up to 30% of national electricity by 2034, largely driven by AI workloads, replacing today’s energy-intensive silicon devices is urgent. InSe, a 2D semiconductor with a direct, thickness-tunable bandgap and high carrier mobility, offers exceptional potential for next-generation transistors. However, scalable synthesis of defect-controlled InSe films remains a critical barrier.

This project will overcome that barrier by using van der Waals buffer layers—wafer-scale h-BN or MoS2 films grown on silicon—to minimize lattice mismatch, suppress defect nucleation, and enable coherent InSe growth. The workflow integrates (i) wafer-scale buffer synthesis with <5% thickness variation, (ii) buffer/InSe interface analysis to quantify coherency and defect initiation, (iii) InSe growth by optimized MOCVD at device-compatible conditions, and (iv) feedback from advanced TEM, AFM, Raman, and XPS to refine growth. A prototype lateral field-effect transistor (FET) will then be fabricated and electrically validated, targeting benchmark values for mobility, on/off ratio, and switching stability.

The fellowship combines advanced synthesis with state-of-the-art characterization and leverages expertise at Queen Mary University of London and the University of Cambridge. It will generate open datasets, high-impact publications, and industry-relevant patents, while strengthening the researcher’s skills in 2D materials and device fabrication. VANDAI directly supports the European Green Deal by reducing the carbon footprint of AI computing and positioning the UK and EU as leaders in 2D semiconductor manufacturing. The outcomes will pave the way for low-power electronics, new industrial opportunities, and climate-resilient digital infrastructure.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
La classification de ce projet a été validée par des humains.

Mots‑clés

Les mots-clés du projet tels qu’indiqués par le coordinateur du projet. À ne pas confondre avec la taxonomie EuroSciVoc (champ scientifique).

Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European Fellowships

Voir tous les projets financés dans le cadre de ce programme de financement

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) HORIZON-MSCA-2025-PF

Voir tous les projets financés au titre de cet appel

Coordinateur

QUEEN MARY UNIVERSITY OF LONDON
Contribution nette de l'UE

La contribution financière nette de l’UE est la somme d’argent que le participant reçoit, déduite de la contribution de l’UE versée à son tiers lié. Elle prend en compte la répartition de la contribution financière de l’UE entre les bénéficiaires directs du projet et d’autres types de participants, tels que les participants tiers.

€ 260 347,92
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

Aucune donnée

Partenaires (1)