Skip to main content
Ir a la página de inicio de la Comisión Europea (se abrirá en una nueva ventana)
español es
CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
CORDIS
Contenido archivado el 2024-06-18

Disposable Dot Field Effect Transistor for High Speed Si Integrated Circuits

Objetivo

The goal of the proposed research is the evaluation of an entirely new path to fabricate strained Si nano-devices that are compatible to Si CMOS processing. The idea is to fabricate field effect transistors from strained Si bridges, which have been manufactured by disposing embedded, sacrificial Ge islands (dots). To achieve the required positioning of the Ge dots, templated self-assembling will be explored. This approach promises high speed electronics, due to the large mobility of carriers in strained Si, substantially reduced short channel effects, since the thickness of the channel is defined by an air bridge, and an improved thermal conductivity, which is attributed to the all Si device design.

Alternative paths for the templated self assembly of Ge dots will be investigated, including e-beam lithography and x-ray interference lithography for the pre-pattern and molecular beam epitaxy as well as chemical vapour deposition for the growth of the ordered Ge islands. Care will be taken to analyse by grazing incidence x-ray diffractometry the strain and its uniformity in the Si bridges before and after removal of the Ge dots as well as after the fabrication of the gate stack.

The actual devices will be processed using CMOS compatible Si device technology. The fabrication of the devices will be accompanied by intensive structural and electronic modelling. Special emphasis will be put on the strain distribution in the Si channel prior and after the removal of the dots and its impact on the electronic properties of the devices.

To tackle these complex multi-faceted project, experts in the field of crystal growth, structural and electronic analysis, device processing, modelling of crystal growth and device simulation will closely cooperate. As a result detailed insights into the correlation between structural and electronic properties in Si nano-electronic devices are expected as well as the successful fabrication of this new device - the disposable dot FET.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..

Para utilizar esta función, debe iniciar sesión o registrarse

Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

Datos no disponibles

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

STREP - Specific Targeted Research Project

Coordinador

PAUL SCHERRER INSTITUT (PSI)
Aportación de la UE
Sin datos
Dirección

5232 VILLIGEN-PSI
Suiza

Ver en el mapa

Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

Sin datos

Participantes (6)

Mi folleto 0 0