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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Contenido archivado el 2024-05-29

InAlN/(In)GaN Heterostructure Technology for Ultra-high Power Microwave Transistor

Objetivo

Next generation wireless network base stations, satellite communication systems and compact digital radar are just few examples where GaN-based devices can multiply the efficiency of amplifiers. However, improvements in GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are limited by the physics of already established AlGaN/GaN heterostructure system. ULTRAGAN project is aiming to explore new heterostructures using InAlN/(In)GaN alloys. The objective is to triple the HEMTs power density if compared to the state-of-the-art large periphery AlGaN/GaN HEMTs, InAlN/(In)GaN HEMTs are to demonstrate power densities of 30W/mm at 2 to 12 GHz. These parameters can be achieved primarily because of expected extremely high 2-dimensional electron gas density coupled with polarisation fields in the InAlN/(In)GaN heterojunction.

The project gives to Europe an opportunity to come back at the edge of the microwave research, which is right now much stronger in the USA and Japan. Research teams from pure academia to industrial application laboratories will be combined to secure high efficiency research. Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Metallorganic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) techniques will be explored to develop devices including InAlN/GaN single heterojunction (SH) and InAlN /(In)GaN/(In,Al)GaN double heterojunction (DH) systems. Better confinement in the DH is a very attractive approach to limit the role of deep electrical levels by reducing electron emission out of the channel. Moreover the chemistry of InAlN surface is expected to be different to GaN or AlGaN and more stable device surface might be discovered. A strong research will be carried out on the device passivation. In this way transistor I-V instabilities such as drain lags might be eliminated. The project also involves physical and thermal simulation, device processing and a full AC/DC HEMT characterization for a thorough device optimisation.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..

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Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

Datos no disponibles

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

STREP - Specific Targeted Research Project

Coordinador

Alcatel Thales III-V Lab
Aportación de la UE
Sin datos
Dirección
Route de Nozay
91460 MARCOUSSIS
Francia

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Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

Sin datos

Participantes (7)

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