Objetivo Next generation wireless network base stations, satellite communication systems and compact digital radar are just few examples where GaN-based devices can multiply the efficiency of amplifiers. However, improvements in GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are limited by the physics of already established AlGaN/GaN heterostructure system. ULTRAGAN project is aiming to explore new heterostructures using InAlN/(In)GaN alloys. The objective is to triple the HEMTs power density if compared to the state-of-the-art large periphery AlGaN/GaN HEMTs, InAlN/(In)GaN HEMTs are to demonstrate power densities of 30W/mm at 2 to 12 GHz. These parameters can be achieved primarily because of expected extremely high 2-dimensional electron gas density coupled with polarisation fields in the InAlN/(In)GaN heterojunction.The project gives to Europe an opportunity to come back at the edge of the microwave research, which is right now much stronger in the USA and Japan. Research teams from pure academia to industrial application laboratories will be combined to secure high efficiency research. Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Metallorganic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) techniques will be explored to develop devices including InAlN/GaN single heterojunction (SH) and InAlN /(In)GaN/(In,Al)GaN double heterojunction (DH) systems. Better confinement in the DH is a very attractive approach to limit the role of deep electrical levels by reducing electron emission out of the channel. Moreover the chemistry of InAlN surface is expected to be different to GaN or AlGaN and more stable device surface might be discovered. A strong research will be carried out on the device passivation. In this way transistor I-V instabilities such as drain lags might be eliminated. The project also involves physical and thermal simulation, device processing and a full AC/DC HEMT characterization for a thorough device optimisation. Ámbito científico ingeniería y tecnologíaingeniería mecánicaingeniería de vehículosingeniería aeroespacialtecnología satelitalingeniería y tecnologíaingeniería eléctrica, ingeniería electrónica, ingeniería de la informacióningeniería de la informacióntelecomunicaciónradiotecnologíaradar Programa(s) FP6-IST - Information Society Technologies: thematic priority under the specific programme "Integrating and strengthening the European research area" (2002-2006). Tema(s) IST-2002-2.3.4.1 - FET - Open Convocatoria de propuestas Data not available Régimen de financiación STREP - Specific Targeted Research Project Coordinador Alcatel Thales III-V Lab Dirección Route de nozay 91460 Marcoussis Francia Ver en el mapa Aportación de la UE Sin datos Participantes (7) Ordenar alfabéticamente Ordenar por aportación de la UE Ampliar todo Contraer todo AIXTRON AKTIENGESELLSCHAFT Alemania Aportación de la UE € 0,00 Dirección Kackerstr. 15-17 52072 Aachen Ver en el mapa Otras fuentes de financiación Sin datos CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE Francia Aportación de la UE € 0,00 Dirección Université des sciences et technologies de lille 59655 Villeneuve d'ascq Ver en el mapa Otras fuentes de financiación Sin datos ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE Suiza Aportación de la UE € 0,00 Dirección Physics building - station 3 CH 1015 Lausanne Ver en el mapa Otras fuentes de financiación Sin datos ELEKTROTECHNICKY USTAV - SLOVENSKEJ AKADEMIE VIED Eslovaquia Aportación de la UE € 0,00 Dirección Dubravska cesta 9 842 39 Bratislava Ver en el mapa Otras fuentes de financiación Sin datos FOUNDATION FOR RESEARCH AND TECHNOLOGY - HELLAS Grecia Aportación de la UE € 0,00 Dirección Vassilika vouton 71110 Heraklion Ver en el mapa Otras fuentes de financiación Sin datos TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN Austria Aportación de la UE € 0,00 Dirección Floragasse 7 1040 Vienna Ver en el mapa Otras fuentes de financiación Sin datos UNIVERSITAET ULM Alemania Aportación de la UE € 0,00 Dirección Albert-einstein-alle 45 D-89081 Ulm Ver en el mapa Otras fuentes de financiación Sin datos
