Objetivo
The SUPERDEV working group is interested in trying to understand the mechanisms governing vertical, hot-electron transport, and carrier relaxation in III-V superlattice structures, and the potential application of superlattices to enhance the performance of existing heterostructure devices or to provide new device concepts.
Topics of interest to the group include: epitaxial growth of fine-period structures based on GaAs/AlGaAs and InGaAs/InAlAs/InP with emphasis on uniformity and interface sharpness: fabrication of heterostructures, particularly transistors with base regions of less than 100nm thick buried deep within the structure; developing theoretical descriptions of electronic transport in superlattices and determining the physical mechanisms governing hot-carrier transport and relaxation; incorporating superlattices in the base regions of heterojunction bipolar transistors to reduce base access resistance and transit times; and using superlattices structures as oscillators or for enhancing photodetectors and lasers.
The electronic properties and device exploitation of superlattice structures are being studied. The novel properties associated with superlattices have potential for enhancing the performance of existing heterostructure devices (eg heterojunction bipolar transistors, photodetectors and lasers) and for providing new device concepts, such as superlattice oscillators.
During the first year 2 meetings have been held. At these meetings the work being carried out in the laboratories and the progress being made was described. Clear demonstrations have been made of miniband transport in gallium arsenic-aluminium gallium arsenic and gallium arsenic-aluminium arsenic superlattice structures, respectively. Esaki-Tsu negative differential resistance (NDR) has been observed in gallium indium arsenic-aluminium indium arsenic superlattices which extends up to 55 GHz. Light induced microwave oscillations in gallium arsenic-aluminium arsenic have also been observed in gallium arsenic-aluminium arsenic superlattices up to 90GHz. A fully self aligned process has been developed for the indium gallium arsenic-indium phosphorus heterojunction bipolar transistors. Transistors have been fabricated and tested. Novel long wavelength separate confinement heterostructure and graded index separate confinement heterostructure quantum well lasers have also been fabricated. Initial tests on the former gives threshold current densities of 1.9 kV Acm{-2} and device efficiencies of 0.16 mW mA{-1} Indium gallium arsenic-indium gallium arsenic-indium phosphorus quantum well lasers, a high gain gallium arsenic-aluminium gallium arsenic avalanche photodetector and a unipolar quantum well avalanche photodetector are also under investigation.
ACTIVITIES
The group holds biennial meetings on a site-rotational basis to discuss their work on superlattices and other issues relevant to the field of superlattice devices. These meetings also include tours of the host's laboratories. Further bilateral or multilateral meetings will be held to discuss more specific topics, eg. on growth, fabrication, theory, etc., or to enhance collaborations. Members of the group will attend international conferences and also publish their work. The group will participate in workshops involving other ESPRIT nanoelectronics consortia (3042, 3043, 3133, 6312, 6536, 6719, 6849) and, if appropriate, it will assist these consortia in the organisation of up to one international workshop during the life of the group.
POTENTIAL
Research on superlattices carried out by the group will lead to general advances in the growth and fabrication of fine-period heterostructure devices. This is a very fruitful area of research which will benefit from the exchange of views and information dissemination within the Working Group. The understanding of the underlying physical processes of vertical transport in superlattices will also broaden the base knowledge in low dimensional semiconductor structures. This is seen as a necessary stepping-stone towards the exploitation of superlattice structures for the enhancement of existing devices and for realising novel device concepts. The devices of interest to the group are perceived to have potential for the field of microelectronics and optoelectronics for future IT requirements.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica optoelectrónica
- ingeniería y tecnología ingeniería eléctrica, ingeniería electrónica, ingeniería de la información ingeniería electrónica sensores sensores ópticos
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metales de postransición
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metaloides
- ciencias naturales ciencias físicas óptica física del láser
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Datos no disponibles
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Datos no disponibles
Coordinador
WR14 3PS Malvern
Reino Unido
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.