Tunable Hubbard Lattices in Semiconductor Nanowire Networks

Informations projet

TURNSTONE

N° de convention de subvention: 866158

DOI

10.3030/866158

Date de signature de la CE 4 Juin 2020

Date de début 1 Février 2021

Date de fin 31 Janvier 2027

Financé au titre de

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Coût total

€ 1 999 669,00

Contribution de l’UE

€ 1 999 669,00

Coordonné par

DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET
Denmark

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Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Peer reviewed articles (7)

Effect of in-plane alignment on selective area grown homo-epitaxial nanowires

Auteurs: G Nagda, D V Beznasyuk, J Nygård and T S Jespersen
Publié dans: Nanotechnology, Numéro 34, 2023, Page(s) 275702, ISSN 1361-6528
Éditeur: IOP
DOI: 10.1088/1361-6528/acca27

Statistical Reproducibility of Selective Area Grown InAs Nanowire Devices

Auteurs: Dags Olsteins, Gunjan Nagda, Damon J. Carrad, Daria V. Beznasyuk, Christian E. N. Petersen, Sara Martí-Sánchez, Jordi Arbiol, Thomas Sand Jespersen
Publié dans: Nano Letters, Numéro 24, 2024, Page(s) 6553-6559, ISSN 1530-6984
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c01038

InAs/MoRe Hybrid Semiconductor/Superconductor Nanowire Devices

Auteurs: Bilal Kousar; Damon J. Carrad; Lukas Stampfer; Peter Krogstrup; Jesper Nygård; Thomas S. Jespersen
Publié dans: Nano Letters, Numéro 22, 2022, Page(s) 8845, ISSN 1530-6992
Éditeur: ACS
DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c02532

Doubling the mobility of InAs/InGaAs selective area grown nanowires

Auteurs: Daria V. Beznasyuk, Sara Martí-Sánchez, Jung-Hyun Kang, Rawa Tanta, Mohana Rajpalke, Tomaš Stankevič, Anna Wulff Christensen, Maria Chiara Spadaro, Roberto Bergamaschini, Nikhil N. Maka, Christian Emanuel N. Petersen, Damon J. Carrad, Thomas Sand Jespersen, Jordi Arbiol, Peter Krogstrup
Publié dans: PHYSICAL REVIEW MATERIALS, Numéro 24759953, 2022, ISSN 2475-9953
Éditeur: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.6.034602

Cryogenic Multiplexing with Bottom-Up Nanowires

Auteurs: Olšteins, Dāgs; Nagda, Gunjan; Carrad, Damon J.; Beznasiuk, Daria V.; Petersen, Christian E. N.; Martí-Sánchez, Sara; Arbiol, Jordi; Jespersen, Thomas Sand
Publié dans: Nature Communications, Numéro 14, 2023, Page(s) 7738, ISSN 2041-1723
Éditeur: Nature Publishing Group
DOI: 10.48550/arxiv.2304.12765

Multiterminal Quantized Conductance in InSb Nanocrosses.

Auteurs: Sabbir A. Khan; Lukas Stampfer; Timo Mutas; Jung-Hyun Kang; Jung-Hyun Kang; Peter Krogstrup; Peter Krogstrup; Thomas Sand Jespersen; Thomas Sand Jespersen
Publié dans: Advanced Materials, Numéro 15214095, 2021, ISSN 1521-4095
Éditeur: John Wiley & Sons, Ltd
DOI: 10.48550/arxiv.2101.02529

Scale-Dependent Growth Modes of Selective Area Grown III–V Nanowires

Auteurs: Daria V. Beznasyuk, Sara Martí-Sánchez, Gunjan Nagda, Damon James Carrad, Jordi Arbiol, Thomas Sand Jespersen
Publié dans: Nano Letters, Numéro 24, 2024, Page(s) 14198-14205, ISSN 1530-6984
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c03283