Objectif
Results concerning the properties of polycrystalline cadmium selenide films, as well as the metal insulator semiconductor (MIS) and pn-type solar cells produced from these films, show that remarkable photovoltaic parameters can be achieved.
Starting from the II-VI compound semiconductor cadmium selenide, thin film solar cells have been prepared and characterised in detail.
Not only the MIS system, but also a pn-hetereojunction has been investigated as the basis for a cadmium selenide solar cell.
A comprehensive set of scientific methods has been applied to characterise the diode structures prepared.
The photovoltaic parameters of the diode structures investigated were found to be significant.
On the whole, the barrier formation of diode structures has been found to be unsatisfactory. This is thought to be due to a high, continuous distribution of density states in the energy gap that results from selenium correlated defects in polycrystalline cadmium selenide films.
TWO DIFFERENT APPROACHES FOR A SOLID STATE SOLAR CELL ON THE BASIS OF THIN POLYCRYSTALLINE CDSE FILMS ARE INVESTIGATED: A MIS STRUCTURE AND A P-N HETEROJUNCTION.
THE INHERENTLY SIMPLY MIS SYSTEM CONSISTS OF THE FOLLOWING FILM SEQUENCE: CR COATED GLASS SUBSTRATE, POLYCRYSTALLINE N-CDSE, ZNSE (I-LAYER), AU (SCHOTTKY METAL), CURRENT GRID, AND ANTIREFLECTING COATING. STANDARD VACUUM EVAPORATION PROCESSES ARE APPLIED TO DEPOSIT THE DIFFERENT METAL AND SEMICONDUCTOR FILMS. DETAILED INVESTIGATIONS APPLYING SEM, ADMITTANCE SPECTROSCOPY, CURRENT VS. BIAS, AND SPECTRAL RESPONSE MEASUREMENTS REVEAL ORIGINS OF THE PHOTOVOLTAIC LIMITATIONS OF THE MIS SYSTEM. THE MAXIMUM ACHIEVABLE PHOTOVOLTAIC PARAMETERS ARE I SC = 20 MA/CM2, U OC = 700 MV, FF = 58% AND AN EFFICIENCY <= 7.2%.
THE ALTERNATIVE N-CDSE/P-ZNTE HETEROJUNCTION IS EXPECTED NOT TO SUFFER FROM THE PROBLEMS OF THE MIS SYSTEM BECAUSE OF THE VERY DIFFERENT INTRINSIC CONSTRUCTION. ON THE BASIS OF THE ANDERSON MODEL DIFFUSION VOLTAGES OF 1-1.5 V ARE EXPECTED.
THE MATCHING OF CDSE/ZNTE IS THE MOST CRUCIAL PART DURING THE DEPOSITION PROCESS. THE CHANGE FROM THE CDSE DEPOSITION TO THE ZNTE DEPOSITION HAS TO BE PERFROMED BY CONTINUOUSLY CHANGING THE IMPEDING FLUX FROM CDSE TO ZNTE. OPEN CIRCUIT VOLTAGES OF UP TO 850 MV HAVE BEEN ACHIEVED. THE LOW SHORT CIRCUIT CURRENTS AND FILL FACTORS ARE ASSUMED TO BE DUE TO THE NOT YET OPTIMISED DOPING OF THE CDSE DEPLETION REGION.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
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- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métal de transition
- ingénierie et technologie ingénierie des materiaux revêtement et films
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- ingénierie et technologie ingénierie des materiaux solides amorphes
- sciences naturelles sciences physiques optique spectroscopie
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
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Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
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Coordinateur
60486 Frankfurt am Main
Allemagne
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.