Objetivo The aim of this project is to develop and demonstrate the feasibility of novel semiconductor devices for very high temperature operation. Such components are highly desirable for power, space and automotive applications.Improved characteristics of the fabricated devices will be based on the use of heterostructures operating at temperatures higher than 500 degrees C. Epitaxial growth of different polytypes of silicon carbide (SiC) on silicon carbide material as well as on SiC-aluminium nitride (AlN) solid solutions will be achieved at the Ioffe Institute. The fundamental properties of heterojunctions and different layers will be thoroughly investigated and modelled in the associated west European laboratories. Components such as diodes or junction field-effect transistors (JFETs) will be fabricated, the SiC-AlN layers being used as semi-insulating substrate. Programa(s) IC-INTAS - International Association for the promotion of cooperation with scientists from the independent states of the former Soviet Union (INTAS), 1993- Tema(s) 15 - Condensed Matter Physics Convocatoria de propuestas Data not available Régimen de financiación Data not available Coordinador Institut National Polytechnique de Grenoble Aportación de la UE Sin datos Dirección Avenue des Martyrs 23 38016 Grenoble Francia Ver en el mapa Coste total Sin datos Participantes (4) Ordenar alfabéticamente Ordenar por aportación de la UE Ampliar todo Contraer todo CEA - Commissariat à l'Energie Atomique Francia Aportación de la UE Sin datos Dirección 38054 Grenoble Ver en el mapa Coste total Sin datos Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg Alemania Aportación de la UE Sin datos Dirección 91058 Erlangen Ver en el mapa Coste total Sin datos National Academy of Sciences of Ukraine Ucrania Aportación de la UE Sin datos Dirección 252028 Kiev Ver en el mapa Coste total Sin datos Russian Academy of Sciences Rusia Aportación de la UE Sin datos Dirección 194021 St. Petersburg Ver en el mapa Coste total Sin datos
