Objectif
The present Project is aimed at the generation of monocrystal Ge nano-islands at very high density and extra small size in Si matrix. For expanding possibilities of the method for synthesis of quantum dots of extremely small size and high density, the MBE technique will be improved by generating quantum dots on silica, low-temperature growth, the use of ion component of Ge flux evaporated from an electron beam evaporator with potential applied to the substrate, formation of islands during growth of the wetting layer and in prepatterned oxide windows. The studies will be focused on establishing the mechanism and kinetics of surface processes, kinetics of nucleation during MBE growth of Ge on Si and the influence of misfit strains on uniformity and ordering degree of 3D germanium islands. Experimental data to be obtained will be the basis for modelling and theoretical description of the observed processes.
The general objective of the theoretical part of the Project is to gain an understanding of the main mechanisms responsible for the formation of quantum dots in the Ge/Si(111) and Ge/Si(001) MBE systems. In particular, kinetics of the upward material transport during growth of multi-level Ge islands on Si(111) and kinetics of the early stage of 2D-3D transformation in the low-temperature Ge/Si(001) epitaxy will be studied. Besides, will be investigated of the effect of ion influence on processes of germanium islands formation with the purpose to find the ways to reduce of the germanium quantum dots sizes and increase their density by using the ions generated by electron-beam evaporation of germanium, as well as the extension of physical comprehension of a matter of ion flux influence on processes on a growth surface.
Studies of electronic and optical properties of the quantum dots will allow the influence of the size and ordering degree on their gap structure to be established. The investigations of ultra-small Ge quantum dots include theoretical and experimental inspection of electronic spectrum, configuration of electron and hole confined states, electrical and optical phenomena, mechanisms of charge transport in dense arrays of self-assembled Ge nano-clusters in Si.
Also, we aim to integrate scientific and technical expertise from INTAS and NIS countries in order to exchange the information and technology in a most effective manner.
The generated arrays of quantum dots will be compared using various techniques with respect to their optical and electron properties. The conclusion will be made regarding potentialities of each of the preparation method.
The results obtained under the Project will promote practical use of Ge quantum dot arrays in Si in optoelectronic and microwave devices and in new generation of transistors. Better understanding of the fundamental aspects of quantum dot formation and properties will be gained.
Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Données non disponibles
Coordinateur
70569 Stuttgart
Allemagne
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.