Una innovadora arquitectura de semiconductores inaugura una nueva era en la nanoelectrónica
Como los transistores constituyen la parte más importante del sistema de circuitos, desempeñan un papel primordial en el correcto funcionamiento de los dispositivos completamente microelectrónicos. Uno de los tipos de transistores más utilizados es el transistor MOS de efecto de campo (MOSFET). En un régimen de manómetro, las piezas del MOSFET se han analizado exhaustivamente y se han optimizado para obtener un funcionamiento fiable del dispositivo. Uno de los objetivos de la ingeniería fuente/drenaje es la altura de barrera Schottky de siliciuro para poder manejarlo adecuadamente. En el caso de los MOSFET, las regiones de fuente/drenaje incrustadas que normalmente se implantan o difunden, se sustituyen por regiones de siliciuro que se comportan como metales. Además, una fuente/drenaje de siliciuro de clase p con una altura baja de barrera Schottky también presenta una gran estabilidad térmica. El proyecto SODAMOS diseñó, optimizó y fabricó una serie de MOSFET de barreras Schottky bajas en Silicio sobre Aislante (SOI) para resolver los problemas fundamentales asociados a la arquitectura de fuente/drenaje. En comparación con las arquitecturas tradicionales, esta tecnología ofrece un mayor rendimiento en cuanto a inmunidad frente a los efectos de canal corto, una sensibilidad más contenida ante la fluctuación dopante y menos resistencia al contacto con determinada fuente/drenaje. Además, se descubrió que los contactos fuente/drenaje podían inhibir los problemas asociados al estricto control del dopado de la fuente/drenaje. En el ámbito de la ingeniería de materiales, el desarrollo de los bloques elementales Pt resultó ser compatible con los CMOS que funcionan actualmente en la línea de proceso. Esto muestra el gran potencial de este concepto de laboratorio para convertirse en una atractiva solución industrial. Igualmente, esta innovación cumple los requisitos del Plan Internacional de Tecnología del sector de los Semiconductores (ITRS), acercándose al nodo tecnológico de 35nm y en última instancia al de 22nm.
