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Stress minimization on deep sub-micron CMOS processes, measured by a high spatial resolution technique, and its application to 0.15 micron non volatile memories

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Espectroscopia Raman para una microelectrónica más fiable

Puesto que todas las sustancias tienen propiedades espectroscópicas características, lo que permite su identificación específica, la microscopía micro-Raman efectúa un proceso único de análisis e identificación que es químicamente sensible y tiene una resolución espacial adecuada. El proyecto STREAM desarrolló un sistema que mejora esta técnica y puede ser utilizado para mediciones de tensiones locales en aparatos de semiconductores, con lo que gana fiabilidad el producto final.

La tensión mecánica es un problema que afecta al procesamiento y la fiabilidad de los microsistemas electrónicos. Se producen tensiones mecánicas locales en casi todas las fases de procesamiento y empaquetado. Sin control, estas tensiones pueden afectar a la funcionalidad del chip. La espectroscopia micro-Raman (µRS) es una técnica no destructiva que hace uso de la interacción de la luz láser monocroma que se enfoca a través de un microscopio, con rejilla (fonón) o vibraciones moleculares. Sin embargo, la resolución espacial de la mayoría de los instrumentos comunes es, como mucho, de 1mm aproximadamente. Pues bien, el proyecto STREAM ha desarrollado un sistema que mejora esta técnica. En el marco del proyecto STREAM, a la sensibilidad de la µRS a la tensión local en la retícula se le buscaron aplicaciones en el procesamiento de material microelectrónico. Sin embargo, la creciente densificación y miniaturización de los aparatos microelectrónicos exigieron técnicas analíticas con una resolución espacial superior a la que puede ofrecer la µRS comúnmente utilizada. Para lograr una resolución espacial mayor, se equipa el sistema clásico con un foco automático que proporciona un enfoque constante de unas 0,8 micras (luz del láser de 458nm, objetivo de 100x). Hay más, la adición de un objetivo de inmersión en aceite permite mejorar la resolución espacial hasta 0,3 micras. Estas mejoras hacen posible el uso de la técnica de µRS en los estudios de la tensión inducida en el procesamiento de aparatos microelectrónicos, obteniéndose datos comparables a los adquiridos con otros métodos, como la difracción electrónica de haz convergente y el modelo de elementos finitos. El vertiginoso crecimiento del campo de la microelectrónica ha intensificado la demanda de pruebas de fiabilidad. La µRS, ofrece, con las mejoras descritas, una excelente herramienta de fiabilidad y calidad para chips y sistemas microelectrónicos.

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