Contribuir a la producción de dispositivos electrónicos de nitruro
La investigación de los nuevos materiales de nitruro demostró que pueden traer grandes avances en el campo de la electrónica y la optoelectrónica. Por ejemplo, los semiconductores de GaN pueden tener varias aplicaciones, desde visualizadores o almacenamiento de datos a radares y diagnósticos médicos. Las actividades de investigación europea en este ámbito se están quedando atrás en comparación con otras regiones, y en consecuencia las industrias de Asia y EE.UU. ya se han situado en las primeras posiciones dentro del mercado de la optoelectrónica. Para salvar la distancia existente y aumentar las oportunidades de empleo para las industrias europeas, el proyecto EURONIM se centró en la creación de fuentes industriales de capas epitaxiales de nitruro. Las capas epitaxiales de GaN de alta calidad fueron algunos de los productos industriales desarrollados en el curso del proyecto. Después del Si, el GaN es uno de los materiales semiconductores más importantes utilizados para la próxima generación de transistores de alta potencia y alta frecuencia , capaz de funcionar a temperaturas muy altas. Además de sus excelentes propiedades, el GaN también es más ecológico y menos tóxico que otras sustancias, y minimiza los riesgos para la salud. En el marco del proyecto EURONIM, se produjeron estructuras normales de GaN/zafiro, que permitieron la fabricación de materiales con baja densidad de dislocación. Estos pseudoestratos se pueden usar para ampliar las estructuras de los componentes de nitruro, como los transistores o los detectores de UV. Con ayuda de una técnica especial denominada Sobrecrecimiento Lateral Epitaxial (ELO), también se han conseguido pseudosustratos de GaN/zafiro con una densidad de defecto muy baja. Además, utilizando el método de epitaxia de hidruro de fase gaseosa (HVPE) en el GaN/zafiro de calidad ELO, se obtuvieron gruesas láminas de GaN. Con ayuda de la elevación por láser u otras tecnologías se separó el zafiro, y el resultado fue un GaN aislado que se puede usar en la fabricación de diodos de láser. A pesar de que aún hacen falta algunas mejoras menores en el proceso de producción, el potencial de las nuevas estructuras de GaN es considerable. Se prevé que estos esfuerzos promuevan la producción de sustratos para el crecimiento de los nitruros en Europa. Además, los resultados del proyecto pueden beneficiar también a las fundiciones europeas de nitruro para desarrollar dispositivos innovadores y de un alto valor añadido en el sector de la electrónica y la optoelectrónica.
