Sensores calientes de bajo coste
El carburo de silicio cristaliza en muchas modificaciones diferentes (politipos). La estructura cúbica 3C-SiC es especialmente atractiva para los dispositivos de SiC porque se puede cultivar en sustratos de Si baratos, lo que hace posible la fabricación en lotes. No obstante, la fabricación de 3C-SiC/Si causa defectos de gran densidad en las películas de 3C-SiC, y afecta al rendimiento de los aparatos eléctricos que están hechos con estas películas. Con el fin de reducir la densidad de los defectos, el proyecto FLASiC desarrolló un nuevo proceso para producir 3C-SiC epitaxial y en grandes cantidades en sustratos de Si o silicio sobre aislante (SOI). El proceso y el material de FLASiC facilitaron el desarrollo de nuevos sensores con mejores resultados en términos de frecuencia de resonancia, amplitud de resonancia y factor de calidad. Estos tipos de sensores se pueden utilizar para detectar gases o identificar moléculas. Pueden usarse para controlar las emisiones a temperaturas elevadas, mejorando la eficiencia energética y limitando los gases emitidos a la atmósfera. Además, la información que puede obtenerse de la aplicación de estos sensores en la detección de gases contribuirá a optimizar la eficiencia de los reactores o motores de combustión interna. A lo largo de toda la fase de fabricación de estos dispositivos se han configurado varios procesos tecnológicos, prestando especial atención al grabado de SiC. Se ha comprobado que el grabado por plasma acoplado inductivamente (ICP) presenta unas condiciones excelentes. Así mismo, se ha desarrollado y optimizado el proceso de dopado y formación por contacto en la capa de SiC. El proceso de formación de la membrana de SiC se puede usar también para fabricar resonadores autónomos para la detección de gases o sesnsores de presión / acelerómetros en las membranas de SiC. Las excelentes propiedades y el bajo coste de los nuevos sensores hacen que sean muy atractivos para futuras comercializaciones. La validación de su fiabilidad a largo plazo y la fabricación de un paquete de temperatura elevada para alojarlos en los sistemas de la aplicación final son los siguientes pasos en esta dirección.