Prototipo de aparato para el recocido con lámpara de destello
El carburo de silicio (SiC) es un compuesto cerámico basado en silicio y carbono cuyas propiedades, como la alta conductividad térmica y su tolerancia a la radiación, lo hacen adecuado para aplicaciones de semiconductores. En la actualidad, el mercado está falto de obleas de SiC económicas, de calidad alta y de extensión amplia, especialmente para aplicaciones microelectrónicas y biomédicas a temperaturas altas y en entornos rigurosos. Para resolver esa necesidad, el proyecto FLASiC desarrolló un nuevo proceso de producción a gran escala de SiC cúbico (3C-SiC) epitaxial sobre sustratos de Si. El objetivo primordial era reducir la densidad de defectos en varios órdenes de magnitud con el fin de explotar la alta movilidad de electrones, el gran tamaño y el bajo coste del material nuevo. Para conseguir esa reducción, se seleccionó el recocido con lámpara de destello (FLA) en el rango de milisegundos, ya que permite una alta absorción de energía en la interfaz heteroepitaxial. En este contexto, se reconstruyó un aparato ya existente de acuerdo con las condiciones del proceso de FLASiC. Éstas son las condiciones de precalentamiento, la homogeneidad del área irradiada (oblea de 50 mm) y la reproducibilidad de los parámetros de este recocido. Los conocimientos adquiridos con esta reconstrucción ayudaron a desarrollar un prototipo de aparato de FLA. Ambos tipos de aparato de FLA (el modificado y el prototipo) están disponibles y listos para su funcionamiento. Este prototipo se puede aplicar en tecnología de Si y SiC, mientras que el tipo reconstruido se puede utilizar también para otros materiales.