Apparecchiatura prototipo per FLA (Flash Lamp Annealing)
Il carburo di silicio (SiC) è un composto ceramico di silicio e carbonio le cui proprietà, come l'elevata conduttività termica e la tolleranza ai danni da radiazione, lo rendono ideale per applicazioni nei semiconduttori. Attualmente i bisogni del mercato vertono sull'impiego di economici wafer SiC, d'alta qualità e grande superficie, soprattutto per applicazioni biomedicali e di microelettronica ad alta temperatura e in ambienti difficili. Per rispondere a questi bisogni, il progetto FLASiC ha sviluppato un nuovo processo di produzione di SiC cubico (3C-SiC) epitassiale e a effetto di massa su sostrati di silicio (Si). L'obiettivo principale era ridurre di vari ordini di grandezza la densità di difetti, allo scopo di sfruttare l'elevata mobilità degli elettroni, le grandi dimensioni e il costo più contenuto del nuovo materiale. Per realizzare questa riduzione, è stato scelto il processo FLA (Flash Lamp Annealing), della durata di millisecondi, perché consente un forte assorbimento d'energia all'interfaccia eteroepitassiale. Sfruttando dunque il contesto già disponibile, le apparecchiature FLA sono state ricostruite e adeguate alle condizioni del processo FLASiC. Tra queste vi sono le condizioni di preriscaldamento, l'omogeneità dell'area irradiata (wafer da 50 mm) e la riproducibilità dei parametri FLA. L'esperienza acquisita grazie a questa ricostruzione ha contribuito allo sviluppo di una apparecchiatura FLA prototipo. Entrambi i tipi d'apparecchiatura FLA (modificata e prototipo) sono pronti per il funzionamento. Il prototipo può essere applicato nella tecnologia Si e SiC, mentre il tipo ricostruito può essere usato anche per altri materiali.