ICDS-19 - Halbleiter-Defekte

Die neueste internationale Konferenz über Halbleiter-Defekte, ICDS-19, findet vom 21. bis 25. Juli 1997 in Aveiro, Portugal, statt.

Diese ICDS-Konferenz befaßt sich mit einem sehr breitgefächerten Themenbereich auf dem Gebiet der grundsätzlichen Eigenschaften von Defekten und Verunreinigungen in Halbleitern. Der Brennpunkt der ICDS-19 liegt auf den Arbeiten auf dem Gebiet der Breitbandlücken-Halbleiter (GaN ist dabei eine Schlüsselfrage) und ihren möglichen Anwendungen als Hochtemperatur-Bausteine. Ein Thema von besonderem Interesse ist die Einwirkung von Strahlung auf Detektorwerkstoffe.

Das Konferenzprogramm soll den Teilnehmern eine Einsicht in die neuesten Entwicklungen im Bereich des Verständnisses und der Nutzung von Defekten vermitteln.

Weitere Auskünfte erhalten Sie von:

Universidade de Aveiro
Prof. Doutora Helena Nazare
Departamento de Fisica
P-3810 Aveiro
Tel. +351-34-370200; Fax +351-34-28600
E-mail: mhnazare@fis.ua.pt

oder

Kings College London
Prof. Gordon Davies
Physics Department
The Strand
London WC2R 2LS
Großbritannien
Tel. +44-171-8732573; Fax +44-171-8732423
E-mail: g.davies@kcl.ac.uk