Spins Interfaced with Light for Quantum Silicon technologies

Información del proyecto

SILEQS

Identificador del acuerdo de subvención: 101042075

DOI

10.3030/101042075

Fecha de la firma de la CE 16 Febrero 2022

Fecha de inicio 1 Octubre 2022

Fecha de finalización 30 Septiembre 2027

Financiado con arreglo a

• European Research Council (ERC)

Coste total

€ 1 500 000,00

Aportación de la UE

€ 1 500 000,00

Coordinado por

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
France

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Data Management Plan

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"Genuine and faux single <mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML""><mml:mi>G</mml:mi></mml:math> centers in carbon-implanted silicon"

Autores: Alrik Durand; Yoann Baron; Flix Cache; Tobias Herzig; Mario Khoury; Sbastien Pezzagna; Jan Meijer; Jean-Michel Hartmann; Shay Reboh; Marco Abbarchi; Isabelle Robert-Philip; Jean-Michel Grard; Vincent Jacques; Guillaume Cassabois; Anas Drau
Publicado en: Physical Review B, Edición 2, 2024, ISSN 2469-9969
Editor: American Physical Society
DOI: 10.48550/arxiv.2402.07705

Hopping of the Center-of-Mass of Single G Centers in Silicon-on-Insulator

Autores: Alrik Durand, Yoann Baron, Péter Udvarhelyi, Félix Cache, Krithika V. R., Tobias Herzig, Mario Khoury, Sébastien Pezzagna, Jan Meijer, Jean-Michel Hartmann, Shay Reboh, Marco Abbarchi, Isabelle Robert-Philip, Adam Gali, Jean-Michel Gérard, Vincent Jacques, Guillaume Cassabois, Anaïs Dréau
Publicado en: Physical Review X, Edición 14, 2024, ISSN 2160-3308
Editor: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/PhysRevX.14.041071