"Genuine and faux single <mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML""><mml:mi>G</mml:mi></mml:math> centers in carbon-implanted silicon"
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Alrik Durand; Yoann Baron; Flix Cache; Tobias Herzig; Mario Khoury; Sbastien Pezzagna; Jan Meijer; Jean-Michel Hartmann; Shay Reboh; Marco Abbarchi; Isabelle Robert-Philip; Jean-Michel Grard; Vincent Jacques; Guillaume Cassabois; Anas Drau
Opublikowane w:
Physical Review B, Numer 2, 2024, ISSN 2469-9969
Wydawca:
American Physical Society
DOI:
10.48550/arxiv.2402.07705
Hopping of the Center-of-Mass of Single G Centers in Silicon-on-Insulator
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Alrik Durand, Yoann Baron, Péter Udvarhelyi, Félix Cache, Krithika V. R., Tobias Herzig, Mario Khoury, Sébastien Pezzagna, Jan Meijer, Jean-Michel Hartmann, Shay Reboh, Marco Abbarchi, Isabelle Robert-Philip, Adam Gali, Jean-Michel Gérard, Vincent Jacques, Guillaume Cassabois, Anaïs Dréau
Opublikowane w:
Physical Review X, Numer 14, 2024, ISSN 2160-3308
Wydawca:
American Physical Society (APS)
DOI:
10.1103/PhysRevX.14.041071