ANalogue In-Memory computing with Advanced device TEchnology

Informations projet

ANIMATE

N° de convention de subvention: 101054098

DOI

10.3030/101054098

Date de signature de la CE 26 Octobre 2022

Date de début 1 Mai 2023

Date de fin 30 Avril 2028

Financé au titre de

• European Research Council (ERC)

Coût total

€ 2 498 868,00

Contribution de l’UE

€ 2 498 868,00

Coordonné par

POLITECNICO DI MILANO
Italy

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Publications

Conference proceedings (6)

Drift Compensation in Multilevel PCM for in-Memory Computing Accelerators

Auteurs: Pistolesi, Letizia; Glukhov, Artem; Gracia Herranz, Amadeo de; López Vallejo, Marisa; Carissimi, Marcella; Pasotti, Marco; Rolandi, Pier Luigi; Redaelli, Andrea; Muñoz Martín, Irene; Bianchi, Stefano; Bonfanti, Andrea; Ielmini, Daniele
Publié dans: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IRPS48228.2024.10529438

An SRAM-based reconfigurable analog in-memory computing circuit for solving linear algebra problems

Auteurs: P. Mannocci, E. Melacarne, A. Pezzoli, G. Pedretti, C. Villa, F. Sancandi, U. Spagnolini, D. Ielmini
Publié dans: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413724

An Ultrafast (< 200 ns) Sparse Solution Solver made by HfWO_x/VO_y Threshold Tunable Neurons

Auteurs: Zirui Chen, Yue Zhou, Hanxi Xu, Yaoyao Fu, Yi Li, Y. He, X.-S. Miao, Piergiulio Mannocci, Daniele Ielmini
Publié dans: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413700

Low-energy, high-accuracy convolutional network inference in 3D crosspoint (3DXP) arrays

Auteurs: F. Carletti, M. Farronato, N. Lepri, I. Tortorelli, A. Pirovano, P. Fantini, D. Ielmini
Publié dans: 2024 IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ESSERC62670.2024.10719497

High-Density Multilevel 3D Vertical Resistive Switching Memory (VRRAM) for Massively Parallel in-Memory Computing

Auteurs: D. Bridarolli, C. Zucchelli, P. Mannocci, S. Ricci, M. Farronato, G. Pedretti, Z. Sun, D. Ielmini
Publié dans: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50854.2024.10873537

Closed-Loop In-Memory Computing for Energy-Efficient Matrix Eigendecomposition

Auteurs: Piergiulio Mannocci, Elisabetta Giannone, Daniele Ielmini
Publié dans: 2023 IEEE International Conference on Metrology for eXtended Reality, Artificial Intelligence and Neural Engineering (MetroXRAINE), 2024
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/METROXRAINE58569.2023.10405821

Peer reviewed articles (4)

Differential Phase Change Memory (PCM) Cell for Drift-Compensated In-Memory Computing

Auteurs: L. Pistolesi, L. Ravelli, A. Glukhov, A. de Gracia Herranz, M. Lopez-Vallejo, M. Carissimi, M. Pasotti, P. L. Rolandi, A. Redaelli, I. Muñoz Martín, S. Bianchi, A. Bonfanti, D. Ielmini
Publié dans: IEEE Transactions on Electron Devices, Numéro 71, 2024, ISSN 0018-9383
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3480898

A Generalized Block-Matrix Circuit for Closed-Loop Analog In-Memory Computing

Auteurs: Mannocci, P; Ielmini, D
Publié dans: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, 2023, ISSN 2329-9231
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/JXCDC.2023.3265803

In-Memory Principal Component Analysis by Analogue Closed-Loop Eigendecomposition

Auteurs: Piergiulio Mannocci; Elisabetta Giannone; Daniele Ielmini
Publié dans: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2024, ISSN 1549-7747
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/TCSII.2023.3334958

Seizure detection via reservoir computing in MoS ₂ -based charge trap memory devices

Auteurs: Matteo Farronato; Piergiulio Mannocci; Alessandro Milozzi; Christian Monzio Compagnoni; Alessandro Barcellona; Andrea Arena; Marco Crepaldi; Gabriella Panuccio; Daniele Ielmini
Publié dans: Science Advances, 2025, ISSN 2375-2548
Éditeur: AAAS
DOI: 10.1126/SCIADV.ADR3241