ANalogue In-Memory computing with Advanced device TEchnology

Projektinformationen

ANIMATE

ID Finanzhilfevereinbarung: 101054098

DOI

10.3030/101054098

EK-Unterschriftsdatum 26 Oktober 2022

Startdatum 1 Mai 2023

Enddatum 30 April 2028

Finanziert unter

• European Research Council (ERC)

Gesamtkosten

€ 2 498 868,00

EU-Beitrag

€ 2 498 868,00

Koordiniert durch

POLITECNICO DI MILANO
Italy

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Veröffentlichungen

Conference proceedings (8)

Drift Compensation in Multilevel PCM for in-Memory Computing Accelerators

Autoren: Pistolesi, Letizia; Glukhov, Artem; Gracia Herranz, Amadeo de; López Vallejo, Marisa; Carissimi, Marcella; Pasotti, Marco; Rolandi, Pier Luigi; Redaelli, Andrea; Muñoz Martín, Irene; Bianchi, Stefano; Bonfanti, Andrea; Ielmini, Daniele
Veröffentlicht in: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IRPS48228.2024.10529438

An SRAM-based reconfigurable analog in-memory computing circuit for solving linear algebra problems

Autoren: P. Mannocci, E. Melacarne, A. Pezzoli, G. Pedretti, C. Villa, F. Sancandi, U. Spagnolini, D. Ielmini
Veröffentlicht in: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413724

In-memory reconstruction of compressively-sampled signals by nonlinear closed-loop analog circuits

Autoren: Piergiulio Mannocci, Giuseppe Falcone, Daniele Ielmini
Veröffentlicht in: 2025 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ISCAS56072.2025.11043795

An Ultrafast (< 200 ns) Sparse Solution Solver made by HfWO_x/VO_y Threshold Tunable Neurons

Autoren: Zirui Chen, Yue Zhou, Hanxi Xu, Yaoyao Fu, Yi Li, Y. He, X.-S. Miao, Piergiulio Mannocci, Daniele Ielmini
Veröffentlicht in: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM45741.2023.10413700

Low-energy, high-accuracy convolutional network inference in 3D crosspoint (3DXP) arrays

Autoren: F. Carletti, M. Farronato, N. Lepri, I. Tortorelli, A. Pirovano, P. Fantini, D. Ielmini
Veröffentlicht in: 2024 IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ESSERC62670.2024.10719497

High-Density Multilevel 3D Vertical Resistive Switching Memory (VRRAM) for Massively Parallel in-Memory Computing

Autoren: D. Bridarolli, C. Zucchelli, P. Mannocci, S. Ricci, M. Farronato, G. Pedretti, Z. Sun, D. Ielmini
Veröffentlicht in: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50854.2024.10873537

Bio-Inspired Computing with Emerging Devices: Bridging 2D Materials and Neuromorphic Architectures

Autoren: Matteo Farronato, Piergiulio Mannocci, Alessandro Milozzi, Christian Monzio Compagnoni, Daniele Ielmini
Veröffentlicht in: 2025 IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI (ISVLSI), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ISVLSI65124.2025.11130347

Closed-Loop In-Memory Computing for Energy-Efficient Matrix Eigendecomposition

Autoren: Piergiulio Mannocci, Elisabetta Giannone, Daniele Ielmini
Veröffentlicht in: 2023 IEEE International Conference on Metrology for eXtended Reality, Artificial Intelligence and Neural Engineering (MetroXRAINE), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/METROXRAINE58569.2023.10405821

Book chapters (1)

Analog Circuit Design for In-Memory Linear Algebra Accelerators

Autoren: Piergiulio Mannocci, Daniele Ielmini
Veröffentlicht in: SpringerBriefs in Applied Sciences and Technology, Special Topics in Information Technology, 2025
Herausgeber: Springer Nature Switzerland
DOI: 10.1007/978-3-031-80268-3_5

Peer reviewed articles (6)

Differential Phase Change Memory (PCM) Cell for Drift-Compensated In-Memory Computing

Autoren: L. Pistolesi, L. Ravelli, A. Glukhov, A. de Gracia Herranz, M. Lopez-Vallejo, M. Carissimi, M. Pasotti, P. L. Rolandi, A. Redaelli, I. Muñoz Martín, S. Bianchi, A. Bonfanti, D. Ielmini
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 71, 2024, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/TED.2024.3480898

A Generalized Block-Matrix Circuit for Closed-Loop Analog In-Memory Computing

Autoren: Mannocci, P; Ielmini, D
Veröffentlicht in: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, 2023, ISSN 2329-9231
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/JXCDC.2023.3265803

In-Memory Principal Component Analysis by Analogue Closed-Loop Eigendecomposition

Autoren: Piergiulio Mannocci; Elisabetta Giannone; Daniele Ielmini
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2024, ISSN 1549-7747
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/TCSII.2023.3334958

IEEE Transactions on Electron Devices

Autoren: D. Bridarolli; C. Zucchelli; P. Mannocci; S. Ricci; M. Farronato; G. Pedretti; Z. Sun; D. Ielmini
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, ISSN 0018-9383
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/TED.2025.3554472

Resistive Switching Random-Access Memory (RRAM): Applications and Requirements for Memory and Computing

Autoren: Daniele Ielmini, Giacomo Pedretti
Veröffentlicht in: Chemical Reviews, Ausgabe 125, 2025, ISSN 0009-2665
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.CHEMREV.4C00845

Seizure detection via reservoir computing in MoS ₂ -based charge trap memory devices

Autoren: Matteo Farronato; Piergiulio Mannocci; Alessandro Milozzi; Christian Monzio Compagnoni; Alessandro Barcellona; Andrea Arena; Marco Crepaldi; Gabriella Panuccio; Daniele Ielmini
Veröffentlicht in: Science Advances, 2025, ISSN 2375-2548
Herausgeber: AAAS
DOI: 10.1126/SCIADV.ADR3241