Flexible and transparent platform based on oxide transistors for detection and readout of ionizing radiation

Información del proyecto

FLETRAD

Identificador del acuerdo de subvención: 101082283

DOI

10.3030/101082283

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 11 Julio 2022

Fecha de inicio 1 Octubre 2022

Fecha de finalización 30 Junio 2024

Financiado con arreglo a

• European Research Council (ERC)

Coste total

Sin datos

Aportación de la UE

€ 150 000,00

Coordinado por

NOVA ID FCT - ASSOCIACAO PARA A INOVACAO E DESENVOLVIMENTO DA FCT
Portugal

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Resultado final

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Publicaciones

Peer reviewed articles (2)

Dielectric multilayers impact on radiation-induced charge accumulation in highly sensitive oxide field effect transistors

Autores: Camilla Bordoni, Andrea Ciavatti, Mariana Cortinhal, Maria Pereira, Tobias Cramer, Pedro Barquinha, Beatrice Fraboni
Publicado en: APL Materials, Edición 12, 2024, ISSN 2166-532X
Editor: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0189167

Accurate determination of band tail properties in amorphous semiconductor thin film with Kelvin probe force microscopy

Autores: Luca Fabbri; Camilla Bordoni; Pedro Barquinha; Jerome Crocco; Beatrice Fraboni; Tobias Cramer
Publicado en: APL Materials, Vol 11, Iss 6, Pp 061123-061123-8 (2023), 2023, ISSN 2166-532X
Editor: AIP
DOI: 10.48550/arxiv.2303.08442