Flexible and transparent platform based on oxide transistors for detection and readout of ionizing radiation

Projektinformationen

FLETRAD

ID Finanzhilfevereinbarung: 101082283

DOI

10.3030/101082283

Projekt abgeschlossen

EK-Unterschriftsdatum 11 Juli 2022

Startdatum 1 Oktober 2022

Enddatum 30 Juni 2024

Finanziert unter

• European Research Council (ERC)

Gesamtkosten

Keine Daten

EU-Beitrag

€ 150 000,00

Koordiniert durch

NOVA ID FCT - ASSOCIACAO PARA A INOVACAO E DESENVOLVIMENTO DA FCT
Portugal

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Leistungen

Data Management Plan (1)

Data Management Plan

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (2)

Dielectric multilayers impact on radiation-induced charge accumulation in highly sensitive oxide field effect transistors

Autoren: Camilla Bordoni, Andrea Ciavatti, Mariana Cortinhal, Maria Pereira, Tobias Cramer, Pedro Barquinha, Beatrice Fraboni
Veröffentlicht in: APL Materials, Ausgabe 12, 2024, ISSN 2166-532X
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0189167

Accurate determination of band tail properties in amorphous semiconductor thin film with Kelvin probe force microscopy

Autoren: Luca Fabbri; Camilla Bordoni; Pedro Barquinha; Jerome Crocco; Beatrice Fraboni; Tobias Cramer
Veröffentlicht in: APL Materials, Vol 11, Iss 6, Pp 061123-061123-8 (2023), 2023, ISSN 2166-532X
Herausgeber: AIP
DOI: 10.48550/arxiv.2303.08442