Description du projet
Éliminer la pénurie de transistors en GaN en Europe pour les missions spatiales
Les transistors de puissance sont utilisés dans les alimentations électriques, des composants fondamentaux des systèmes électriques des engins spatiaux. Les transistors en nitrure de gallium (GaN) constituent un maître-choix pour les alimentations électriques des engins spatiaux et les équipements de mission en raison de la tension de rupture élevée, de la vitesse de commutation rapide et de la conductivité thermique élevée de ce matériau. En outre, les transistors en GaN permettent de réduire la consommation d’énergie ainsi que la masse des équipements. En Europe, la pénurie de transistors de ce type risque de s’aggraver du fait de la dépendance croissante du continent à l’égard des fournisseurs extérieurs. Le projet SAGAN, financé par l’UE, entend mettre en place une chaîne d’approvisionnement indépendante pour les transistors en GaN, couvrant la conception, la production, le traitement et les tests de qualification. Des tests seront réalisés en vue d’évaluer les effets des rayonnements, la dynamique thermique, le comportement structurel et la fiabilité de ces transistors.
Objectif
The SAGAN proposal addresses a crucial element in future satellite platforms and payloads. Spacecraft Electrical Power Systems (EPS) are a key element that enable space missions. Without an efficient EPS, many of the capabilities that we take today for granted, such as high-speed communications, GNSS and science payloads, would not be possible.
Power transistors are key elements of the electrical units that form the EPS and other systems, since they allow the most efficient (in terms of power and mass) electrical power processing topologies. During the last decade, several technological advancements have enabled a new type of transistors based on Gallium Nitride over Silicon. GaN transistors allow a reduction in mass of the equipment that uses them and a reduction in power consumption.
Currently, Europe does not have the capabilities to produce GaN transistors for space unless relying on external countries for most of the supply chain, which is something that cannot be taken for granted. The objective of the SAGAN proposal is to overcome this situation by establishing a non-dependent supply chain (design, manufacturing, processing, and qualification testing) for GaN transistors that are suitable for space applications. The transistors will be tested to assess radiation effects, thermal dynamics, structural behaviour, reliaability...
To achieve it, a strong consortium has been established. It is composed by organisations that have the knowleadge and the facilities to fulfil the objective. The consortium is composed of a company devoted to space level GaN transistors and integrated circuit design (SEMI ZABALA), a research foundry (IMEC), a company that processes wafers to the standards required by the technology (DISCO HI-TEC) and a satellite equipment manufacturer with component packaging capabilities (SENER). The consortium also counts with the role of GaN transistor end user, which is played by SENER as spacecraft equipment manufacturer.
Champ scientifique
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN.
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Programme(s)
Thème(s)
Régime de financement
HORIZON-RIA - HORIZON Research and Innovation ActionsCoordinateur
28500 Arganda del Rey
Espagne