Descripción del proyecto
Transistores ferroeléctricos de barrera de Schottky como sinapsis artificiales para la computación neuromórfica
Se calcula que hay 100 000 millones de neuronas en un cerebro humano adulto. Cada una hace unas 7 000 sinapsis con otras neuronas, formando una red de procesamiento de datos de gran eficiencia energética. El objetivo de la computación neuromórfica es aprovechar esta eficiencia utilizando neuronas, sinapsis y circuitos inspirados en el cerebro para reducir las vertiginosas necesidades energéticas de la explosión en el procesamiento de datos. Los transistores de efecto de campo (FET) ferroeléctricos son una de las opciones más prometedoras para las sinapsis de estado sólido. Con el apoyo de las acciones Marie Skłodowska-Curie, el equipo del proyecto EASIFeT se centrará en un novedoso FET ferroeléctrico, concretamente un FET ferroeléctrico de barrera de Schottky. El equipo empleará una conocida herramienta de diseño y simuladores para explorar comportamientos e implementarlos en un modelo de circuito.
Objetivo
The exponential growth of demand for data processing requires increasingly large computational resources and, consequently, prohibitively high energy consumption. To sustain this evolution, a paradigm switch from conventional computing architectures to data-centric platforms is needed. Neuromorphic computing aims at reaching this goal by realizing brain-inspired circuits based on artificial neurons and synapses, which are extremely energy efficient. The objective of this project is to explore a novel type of artificial synapse to be employed in neuromorphic chips. Among the technological options for solid state synapses, memories based on ferroelectric field-effect transistors (FeFET) are considered very promising due to their energy efficiency and to their compatibility with a Back-End-Of-Line implementation and thus a 3D integration. A FeFET is a field-effect transistors that employs a ferroelectric (FE) material as gate oxide. FE materials have a spontaneous electric polarization that can be reversed by the application of an electric field, and in conventional FeFETs this is used to modulate the threshold voltage and thus resistance in the channel region. This project will address an alternative physical mechanism to obtain a synaptic behavior in FeFET, namely a polarization-induced tuning of the resistance at source/drain Schottky contacts. In the Ferroelectric Schottky barrier FETs (Fe-SBFETs), the FE material overlaps the Schottky contact region, hence in this region the FE material is placed between two metals resulting in an effective and low voltage ferroelectric switching. For this reason, Fe-SBFETs are expected to operate as low energy synaptic devices. In this project, Fe-SBFETs will be extensively studied and modeled, by means of TCAD simulations. A design-space for optimal synaptic operation will be derived. Finally, a compact model for SPICE simulations of neuromorphic circuits based on Fe-SBFETs will be developed.
Palabras clave
Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).
Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).
Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
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HORIZON.1.2 - Marie Skłodowska-Curie Actions (MSCA)
PROGRAMA PRINCIPAL
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Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European Fellowships
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Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
(se abrirá en una nueva ventana) HORIZON-MSCA-2022-PF-01
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Aportación financiera neta de la UE. Es la suma de dinero que recibe el participante, deducida la aportación de la UE a su tercero vinculado. Considera la distribución de la aportación financiera de la UE entre los beneficiarios directos del proyecto y otros tipos de participantes, como los terceros participantes.
33100 Udine
Italia
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.