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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Exploration of Back-End-Of-Line Compatible Te-Based P-Type Transistors With 2D Material Van Der Waals Contacts for Monolithic 3D Integration

Descripción del proyecto

Integración tridimensional con transistores de telurio para superar los límites de los circuitos integrados de silicio

A medida que el silicio alcanza sus límites físicos, mejorar los circuitos integrados reduciendo el tamaño de los transistores, como dicta la ley de Moore, se convierte en un reto mucho mayor. La integración monolítica tridimensional ofrece una solución al apilar transistores sin dañar las capas subyacentes. Los semiconductores bidimensionales resultan prometedores para estos transistores apilados, especialmente los dispositivos de tipo n. Sin embargo, los dispositivos de tipo p quedan rezagados debido a la elevada resistencia de contacto y a las barreras de Schottky con semiconductores bidimensionales de banda ancha. El telurio presenta un gran potencial para los transistores de tipo p, ya que ofrece un mejor acceso a la banda de valencia y un mayor rendimiento. Financiado por las acciones Marie Skłodowska-Curie, el equipo del proyecto BEOLTPT tiene como objetivo avanzar en los dispositivos de tipo p basados en telurio, centrándose en los contactos Van der Waals, el rendimiento de los circuitos de lógica CMOS y las perspectivas de integración monolítica tridimensional.

Objetivo

The performance enhancement of integrated circuits relying on the downscaling of transistor dimensions following Moore’s law is becoming more and more challenging as silicon is reaching its physical limit. Thus, monolithic 3D integration has been considered as a powerful method to improve system performance further.
This requires that transistors be stacked on top of each other at back-end-of-line (BEOL) compatible temperatures to avoid degradation of underlying devices. Two-dimensional (2D) semiconductors are promising candidates for such BEOL transistors but most advancements in terms of device performance and reliable BEOL integration concern n-type devices, while p-type is still lagging behind. Hence, better p-type BEOL transistors are highly sought after to enable complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. One of several challenges for p-type devices is contact resistance because wide band gap 2D semiconductors typically have large Schottky barriers between the metal contact and their valence band. Tellurium (Te) and its compounds have recently been identified as promising candidates for BEOL p-type 2D transistors, which offer decent access to their valence bands, integration at BEOL-compatible temperatures, and good material prospects for device performance. However, research on such devices is still in its infancy, and drive current, stability (passivation), and contact resistance still need improvements. Thus, in this work, we propose to advance the research in Te-based p-type devices. In particular, we will experimentally explore the potential of 2D material van der Waals contacts. Furthermore, we will evaluate the CMOS logic circuit performance coupling with its n-type counterpart and the prospects of our devices for monolithic 3D integration through simulation.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo.
La clasificación de este proyecto ha sido validada por personas.

Palabras clave

Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).

Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European Fellowships

Ver todos los proyectos financiados en el marco de este régimen de financiación

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

(se abrirá en una nueva ventana) HORIZON-MSCA-2023-PF-01

Ver todos los proyectos financiados en el marco de esta convocatoria

Coordinador

UNIVERSITY OF STUTTGART
Aportación neta de la UEn

Aportación financiera neta de la UE. Es la suma de dinero que recibe el participante, deducida la aportación de la UE a su tercero vinculado. Considera la distribución de la aportación financiera de la UE entre los beneficiarios directos del proyecto y otros tipos de participantes, como los terceros participantes.

€ 173 847,36
Dirección
KEPLERSTRASSE 7
70174 Stuttgart
Alemania

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Región
Baden-Württemberg Stuttgart Stuttgart, Stadtkreis
Tipo de actividad
Higher or Secondary Education Establishments
Enlaces
Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

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Participantes (1)

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