Skip to main content
European Commission logo
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
CORDIS Web 30th anniversary CORDIS Web 30th anniversary

Exploration of Back-End-Of-Line Compatible Te-Based P-Type Transistors With 2D Material Van Der Waals Contacts for Monolithic 3D Integration

Opis projektu

Technologia układów 3D z tranzystorami na bazie telluru pokonuje ograniczenia krzemowych układów scalonych

Wraz ze zbliżaniem się do fizycznych granic krzemu, ulepszanie układów scalonych poprzez zmniejszanie rozmiarów tranzystorów zgodnie z prawem Moore'a staje się znacznie trudniejsze. Monolityczne struktury 3D stanowią rozwiązanie polegające na nanoszeniu kolejnych tranzystorów bez uszkadzania leżących pod nimi warstw. Półprzewodniki jednowarstwowe stanowią obiecujące podłoża dla tego rodzaju tranzystorów, w szczególności typu n. Problem dotyczy tranzystorów typu p ze względu na wysoką oporność styku i bariery Schottky'ego w przypadku zastosowania półprzewodników jednowarstwowych o szerokim paśmie wzbronionym. Tellur jest obiecującym materiałem w przypadku tranzystorów typu p, który zapewnia lepszy dostęp do pasma walencyjnego i pozwala na zwiększenie osiągów. Zespół finansowanego ze środków działania „Maria Skłodowska-Curie” projektu BEOLTPT ma na celu rozwój tranzystorów typu p opartych na tellurze, koncentrując się na stykach Van der Waalsa, osiągach obwodów logicznych CMOS i możliwości monolitycznej integracji 3D.

Cel

The performance enhancement of integrated circuits relying on the downscaling of transistor dimensions following Moore’s law is becoming more and more challenging as silicon is reaching its physical limit. Thus, monolithic 3D integration has been considered as a powerful method to improve system performance further.
This requires that transistors be stacked on top of each other at back-end-of-line (BEOL) compatible temperatures to avoid degradation of underlying devices. Two-dimensional (2D) semiconductors are promising candidates for such BEOL transistors but most advancements in terms of device performance and reliable BEOL integration concern n-type devices, while p-type is still lagging behind. Hence, better p-type BEOL transistors are highly sought after to enable complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. One of several challenges for p-type devices is contact resistance because wide band gap 2D semiconductors typically have large Schottky barriers between the metal contact and their valence band. Tellurium (Te) and its compounds have recently been identified as promising candidates for BEOL p-type 2D transistors, which offer decent access to their valence bands, integration at BEOL-compatible temperatures, and good material prospects for device performance. However, research on such devices is still in its infancy, and drive current, stability (passivation), and contact resistance still need improvements. Thus, in this work, we propose to advance the research in Te-based p-type devices. In particular, we will experimentally explore the potential of 2D material van der Waals contacts. Furthermore, we will evaluate the CMOS logic circuit performance coupling with its n-type counterpart and the prospects of our devices for monolithic 3D integration through simulation.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Klasyfikacja tego projektu została potwierdzona przez zespół projektowy.

Koordynator

ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAET FREIBURG
Wkład UE netto
€ 173 847,36
Adres
FAHNENBERGPLATZ
79098 Freiburg
Niemcy

Zobacz na mapie

Region
Baden-Württemberg Freiburg Freiburg im Breisgau, Stadtkreis
Rodzaj działalności
Higher or Secondary Education Establishments
Linki
Koszt całkowity
Brak danych