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Molecular 2D/Polymer-based Memristors

Description du projet

Des memristors hybrides adaptables en temps réel imitent les réponses synaptiques à court terme

Un memristor (résistance à mémoire) fonctionne comme une résistance dotée d’une mémoire intégrée. Il modifie sa résistance pour réguler le courant en fonction de sa «mémoire» de la tension qui lui a été appliquée auparavant, et cette mémoire persiste même lorsque l’alimentation est coupée. Les memristors conventionnels à base d’oxydes inorganiques sont conçus pour conserver leur état à long terme. Le projet Mol-2DMem, financé par le CER, vise à mettre au point des memristors hybrides dépassant les memristors à base d’oxydes, capables de fonctionner de manière adaptative en imitant les réponses synaptiques à court terme, grâce à l’intégration d’espèces ioniques dans des polymères moléculaires contenant des matériaux 2D. Ces memristors ouvrent la voie à un traitement du signal en temps réel semblable à celui de l’humain, pour la reconnaissance visuelle ou vocale. Mol-2DMem intégrera les memristors hybrides dans des modules de prétraitement programmables et fournira une preuve de concept.

Objectif

Our previous ERC project showed that 2D materials, when combined with molecular components, can be chemically tuned to unlock entirely new physical properties. This molecular/2D synergy enabled unprecedented control over electronic states and interactions, opening the door to transformative device concepts. Building on these breakthroughs, we now propose a new generation of hybrid memristors. By embedding ionic species within molecular polymers containing 2D materials such as MoS2, WS2, and MoSSe, we achieve volatile,
analog memristive behavior with ultra-low energy consumption and full CMOS compatibility. These devices operate adaptively, mimicking short-term synaptic responses—something oxide-based memristors cannot deliver—and provide the foundation for real-time tasks such as vision, speech recognition, and neuromorphic signal processing. Volatile memristors offer a direct solution to the von Neumann bottleneck by merging memory and computation at the sensor edge. Instead of wasting energy shuttling data back and forth, information is processed where it is generated. This drastically reduces latency and power consumption while enabling compact, scalable architectures capable
of pre-processing massive data streams for AI tasks in real time.

This Proof of Concept will advance our patented demonstrator from TRL3 to TRL5. We will fabricate nanoscale, CMOS-compatible devices, integrate them into programmable preprocessing modules, and validate them with industrial partners. The project carries significant risk, requiring new fabrication strategies, system-level integration, and novel architectures. However, the potential reward is substantial: successful outcomes would open the way to using 2D hybrid memristors in applications beyond the reach of conventional
inorganic compounds.

Programme(s)

Thème(s)

Régime de financement

HORIZON-ERC-POC - HORIZON ERC Proof of Concept Grants

Voir tous les projets financés dans le cadre de ce programme de financement

Appel à propositions

(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) ERC-2025-POC

Voir tous les projets financés au titre de cet appel

Institution d’accueil

UNIVERSITAT DE VALENCIA
Contribution nette de l'UE
€ 150 000,00
Adresse
AVENIDA BLASCO IBANEZ 13
46010 Valencia
Espagne
Région
Este Comunitat Valenciana Valencia/València
Type d’activité
Higher or Secondary Education Establishments
Liens
Coût total
Aucune donnée

Bénéficiaires (1)