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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Contenu archivé le 2024-05-29

Electrostatic Discharge Protection for Emerging CMOS Technologies and RF Applications

Objectif

Electrostatic Discharge (ESD) is known to be one of the main causes for failures in ULSI technologies. These failures are caused by the discharge of electrostatic charge present either on an external body, like humans or machines, or on the device itself. In order to cope with this problem, ESD protection circuits have to be provided at all input, output and power supply pins, to ensure that the discharge currents are safely conducted towards the ground.With the ever continuing scaling of CMOS technologies , the problem of ESD becomes more and more difficult to cope with. This makes the scaled down technologies more vulnerable to ESD discharges with each new technology generation. Moreover, new materials and technology modules are continuously introduced in future technologies: high k dielectrics and metal gates to replace the conventional SiO2/polySi gate stacks, copper interconnects and low k dielectrics to replace the conventional Al/oxide based interconnect schemes, and new types of devices such as FinFet s are under study to cope with the scaling problems of conventional MOSFET and apos;s. The impact of these new modules and materials on the ESD robustness of the devices is unknown and needs to be investigated.The ESD protection of RF CMOS circuits also po ses severe problems. The reason for this is that the conventional ESD protection elements cannot be used anymore due to the too high parasitics of the protection elements. As a result new devices and/or design approaches to provide ESD protection for RF-CM OS applications are urgently necessary.In this project these important reliability issues for future technologies will be studied. The impact of advanced CMOS process modules, novel SOI-based devices and advanced junctions on the ESD performance of more or less conventional ESD protection devices will be studied in great detail. New ESD protection strategies and design methodologies for RF CMOS circuits will be investigated and developed.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.

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Mots‑clés

Les mots-clés du projet tels qu’indiqués par le coordinateur du projet. À ne pas confondre avec la taxonomie EuroSciVoc (champ scientifique).

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

FP6-2002-MOBILITY-5
Voir d’autres projets de cet appel

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

EIF - Marie Curie actions-Intra-European Fellowships

Coordinateur

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW
Contribution de l’UE
Aucune donnée
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

Aucune donnée
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