Objetivo
A solid solution of InGaAs epitaxially grown on semi-insulating InP substrates shows promise for high-speed logic devices as well as for integrated optoelectronic circuits for 1300-1500 nm wavelengths. The objective of this project was to fabricate insulated gate field-effect transistors (MISFETs) on GaInAs.
The three main tasks were to:
-evaluate the influence of the InP substrate quality on the overlying devices and to improve accordingly its quality
-obtain a better understanding of the basic phenomena at the interface between the insulator and the InGaAs
-explore the possibilities of ion implantation, compared to MOCVD epitaxy, for implementing active devices in this ternary compound.
A reliable low pressure metal organic vapour phase epitaxy (LP MOVPE) process capable of metal insulator semiconductor field effect transistor (MISFET) device production has been developed on a commercially available MOVPE system. Stable MISFETs with transconductances of 300 ms/mm could be fabricated on these structures. The high quality material produced is not only suitable for the special structure of metal insulator semiconductor field effect transistors (MISFEP), but also for a variety of other devices.
A solid solution of indium gallium arsenide (InGaAs) epitaxially grown on semiinsulating indium phosphide (InP) substrates shows promise for high speed logic devices as well as for integrated optoelectronic circuits for 1300 to 1500 nm wavelengths. The objective of this project was to fabricate insulated gate field effect transistors (MISFET) on gallium indium arsenical (gaInAs). The 3 main tasks were: to evaluate the influence of the InP substrate quality on the overlying devices; to obtain a better understanding of the basic phenomena at the interface between the insulator and the InGaAs; and to explore the possibilities of ion implantation, compared to metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) epitaxy, for implementing active devices in this ternary compound. Full scale equipment for InP synthesis and for crystal pulling under a magnetic field was installed and tested. Large semiinsulating InP crystals (up to 3 inches in diameter) weighing more than 4 kg were successfully grown with low dislocation density. Good progress was achieved in growth uniformity on 50 mm wafers by MOCVD (thickness less than 3 percent, composition less than 2 percent, doping level less then 5 percent). Various technological processes for high speed logic devices and integrated optoelectronics were optimized. Typical transconductance for E and D mode MISFET obtained was 300 ms/mm and 140 ms/mm respectively, while complete stability of the drift or drain current is observed when silicon nitride (Si3N4) is used as insulator. Besides the strenthening of the European supply of InP wafers for integrated optoelectronics, this project investigated new active devices in the III-V family based on InP. This is of key interest for the development of low cost optical communication systems.
Full-scale equipment for InP synthesis and for crystal pulling under a magnetic field was installed and tested. Large semiinsulating InP crystals (up to 3"in diameter) weighing more than 4kg were successfully grown with low dislocation density (around103EPD.cm-2).
Good progress was achieved in growth uniformity on 50mm wafers by MOCVD (thickness <3%, composition <2%, doping level <5%).
Various technological processes for high-speed logic devices and integrated optoelectronics were optimised. Typical transconductance for E and D-mode MISFET obtained was 300ms/mm and 140ms/mm respectively, while complete stability of the drift of draincurrent is observed when Si3N4 is used as insulator.
Besides the strengthening of the European supply of InP wafers for integrated optoelectronics, this project investigated new active devices in the IIIV family based on InP. This is of key interest for the development of low-cost optical communication sys tems.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica optoelectrónica
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metales de postransición
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica dispositivo semiconductor
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metaloides
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Datos no disponibles
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Datos no disponibles
Coordinador
94453 Limail-Brevannes
Francia
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.