Objetivo
to perform exploratory work on new device architectures suitable for the 0.13 micron CMOS generation
to consider the introduction of new materials in a standard CMOS process flow
to compare the various technological solutions against the target specifications
This project is an exploratory work on advanced MOSFET architectures suitable for the 0.13 micron CMOS generation. Technically speaking, this project focuses on the optimisation of the device architecture (e.g. Ground Plane), the emerging new materials (e.g. SiGe, TiN, Ta2O5, etc.) and the evaluation of various technological solutions against the end-user defined specifications. The project is divided into four workpackages: Channel Engineering, Gate Engineering, S/D Engineering and Device Specifications.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural.
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Convocatoria de propuestas
Data not availableRégimen de financiación
CSC - Cost-sharing contractsCoordinador
94250 Gentilly
Francia