Single-Hole Pumping in Silicon

Informations projet

SINHOPSI

N° de convention de subvention: 654712

DOI

10.3030/654712

Projet clôturé

Date de signature de la CE 4 Mars 2015

Date de début 11 Janvier 2016

Date de fin 10 Janvier 2018

Financé au titre de

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coût total

€ 183 454,80

Contribution de l’UE

€ 183 454,80

Coordonné par

THE CHANCELLOR MASTERS AND SCHOLARS OF THE UNIVERSITY OF CAMBRIDGE
United Kingdom

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Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Peer reviewed articles (3)

Thermal-Error Regime in High-Accuracy Gigahertz Single-Electron Pumping

Auteurs: R. Zhao, A. Rossi, S. P. Giblin, J. D. Fletcher, F. E. Hudson, M. Möttönen, M. Kataoka, A. S. Dzurak
Publié dans: Physical Review Applied, Numéro 8/4, 2017, ISSN 2331-7019
Éditeur: APS
DOI: 10.1103/physrevapplied.8.044021

Valley splitting of single-electron Si MOS quantum dots

Auteurs: John King Gamble, Patrick Harvey-Collard, N. Tobias Jacobson, Andrew D. Baczewski, Erik Nielsen, Leon Maurer, Inès Montaño, Martin Rudolph, M. S. Carroll, C. H. Yang, A. Rossi, A. S. Dzurak, Richard P. Muller
Publié dans: Applied Physics Letters, Numéro 109/25, 2016, Page(s) 253101, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4972514

Dispersive readout of a silicon quantum dot with an accumulation-mode gate sensor

Auteurs: A. Rossi, R. Zhao, A. S. Dzurak, M. F. Gonzalez-Zalba
Publié dans: Applied Physics Letters, Numéro 110/21, 2017, Page(s) 212101, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4984224

Other (2)

Radio-frequency capacitive gate-based sensing

Auteurs: Imtiaz Ahmed, James A. Haigh, Simon Schaal, Sylvain Barraud, Yi Zhu, Chang-min Lee, Mario Amado, Jason W. A. Robinson, Alessandro Rossi, John J. L. Morton, M. Fernando Gonzalez-Zalba
Publié dans: 2018
Éditeur: Submitted to Physical Review Applied

Gigahertz Single-Electron Pumping Mediated by Parasitic States

Auteurs: A. Rossi, J. Klochan, J. Timoshenko, F. E. Hudson, M. Mottonen, S. Rogge, A. S. Dzurak, V. Kashcheyevs, G. C. Tettamanzi
Publié dans: 2018
Éditeur: submitted to Nano Letters