Monolithic Optoelectronic Devices on Silicon

Información del proyecto

MODES

Identificador del acuerdo de subvención: 704045

DOI

10.3030/704045

Proyecto finalizado el 31 Julio 2017

Fecha de la firma de la CE 18 Marzo 2016

Fecha de inicio 1 Julio 2016

Fecha de finalización 30 Junio 2018

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coste total

€ 175 419,60

Aportación de la UE

€ 175 419,60

Coordinado por

IBM RESEARCH GMBH
Switzerland

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Publicaciones

Peer reviewed articles (3)

Manipulating Surface States of III–V Nanowires with Uniaxial Stress

Autores: G. Signorello, S. Sant, N. Bologna, M. Schraff, U. Drechsler, H. Schmid, S. Wirths, M. D. Rossell, A. Schenk, H. Riel
Publicado en: Nano Letters, Edición 17/5, 2017, Página(s) 2816-2824, ISSN 1530-6984
Editor: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b05098

Ballistic One-Dimensional InAs Nanowire Cross-Junction Interconnects

Autores: Johannes Gooth, Mattias Borg, Heinz Schmid, Vanessa Schaller, Stephan Wirths, Kirsten Moselund, Mathieu Luisier, Siegfried Karg, Heike Riel
Publicado en: Nano Letters, Edición 17/4, 2017, Página(s) 2596-2602, ISSN 1530-6984
Editor: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00400

Ballistic one-dimensional transport in InAs nanowires monolithically integrated on silicon

Autores: J. Gooth, V. Schaller, S. Wirths, H. Schmid, M. Borg, N. Bologna, S. Karg, H. Riel
Publicado en: Applied Physics Letters, Edición 110/8, 2017, Página(s) 083105, ISSN 0003-6951
Editor: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4977031