Monolithic Optoelectronic Devices on Silicon

Projektinformationen

MODES

ID Finanzhilfevereinbarung: 704045

DOI

10.3030/704045

Das Projekt endete am 31 Juli 2017

EK-Unterschriftsdatum 18 März 2016

Startdatum 1 Juli 2016

Enddatum 30 Juni 2018

Finanziert unter

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Gesamtkosten

€ 175 419,60

EU-Beitrag

€ 175 419,60

Koordiniert durch

IBM RESEARCH GMBH
Switzerland

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Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (3)

Manipulating Surface States of III–V Nanowires with Uniaxial Stress

Autoren: G. Signorello, S. Sant, N. Bologna, M. Schraff, U. Drechsler, H. Schmid, S. Wirths, M. D. Rossell, A. Schenk, H. Riel
Veröffentlicht in: Nano Letters, Ausgabe 17/5, 2017, Seite(n) 2816-2824, ISSN 1530-6984
Herausgeber: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b05098

Ballistic One-Dimensional InAs Nanowire Cross-Junction Interconnects

Autoren: Johannes Gooth, Mattias Borg, Heinz Schmid, Vanessa Schaller, Stephan Wirths, Kirsten Moselund, Mathieu Luisier, Siegfried Karg, Heike Riel
Veröffentlicht in: Nano Letters, Ausgabe 17/4, 2017, Seite(n) 2596-2602, ISSN 1530-6984
Herausgeber: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00400

Ballistic one-dimensional transport in InAs nanowires monolithically integrated on silicon

Autoren: J. Gooth, V. Schaller, S. Wirths, H. Schmid, M. Borg, N. Bologna, S. Karg, H. Riel
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 110/8, 2017, Seite(n) 083105, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4977031