Optoelectronic detection of single spin in silicon

Información del proyecto

ODESI

Identificador del acuerdo de subvención: 708475

DOI 10.3030/708475

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 15 Abril 2016

Fecha de inicio 1 Junio 2016

Fecha de finalización 31 Mayo 2018

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coste total € 173 076,00

Aportación de la UE € 152 430,00

Coordinado por

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
France

Publicaciones

Conference proceedings (3)

SOI CMOS technology for quantum information processing

Autores: L. Hutin, B. Bertrand, R. Maurand, M. Urdampilleta, B. Jadot, H. Bohuslavskyi, L. Bourdet, Y.-M. Niquet, X. Jehl, S. Barraud, C. Bauerle, T. Meunier, M. Sanquer, S. De Franceschi, M. Vinet
Publicado en: 2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), 2017, Página(s) 1-4, ISBN 978-1-5090-4502-0
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/ICICDT.2017.7993523

Towards quantum computing in Si MOS technology: Single-shot readout of spin states in a FDSOI split-gate device with built-in charge detector

Autores: M. Urdampilleta, L. Hutin, B. Jadot, B. Bertrand, H. Bohuslavskyi, R. Maurand, S. Barraud, C. Bauerle, M. Sanquer, X. Jehl, S. De Franceschi, T. Meunier, M. Vinet
Publicado en: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017, Página(s) T172-T173, ISBN 978-4-86348-605-8
Editor: IEEE
DOI: 10.23919/VLSIT.2017.7998163

Harnessing Si CMOS technology for quantum information

Autores: L. Hutin, B. Bertrand, R. Maurand, M. Urdampilleta, B. Jadot, H. Bohuslavskyi, L. Bourdet, Y.-M. Niquet, X. Jehl, S. Barraud, C. Bauerle, T. Meunier, M. Sanquer, S. De Franceschi, M. Vinet
Publicado en: 2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2017, Página(s) 141-142, ISBN 978-4-8634-8647-8
Editor: IEEE
DOI: 10.23919/SNW.2017.8242337