Optoelectronic detection of single spin in silicon

Informacje na temat projektu

ODESI

Identyfikator umowy o grant: 708475

DOI

10.3030/708475

Projekt został zamknięty

Data podpisania przez KE 15 Kwietnia 2016

Data rozpoczęcia 1 Czerwca 2016

Data zakończenia 31 Maja 2018

Finansowanie w ramach

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Koszt całkowity

€ 173 076,00

Wkład UE

€ 152 430,00

Koordynowany przez

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
France

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Conference proceedings (3)

SOI CMOS technology for quantum information processing

Autorzy: L. Hutin, B. Bertrand, R. Maurand, M. Urdampilleta, B. Jadot, H. Bohuslavskyi, L. Bourdet, Y.-M. Niquet, X. Jehl, S. Barraud, C. Bauerle, T. Meunier, M. Sanquer, S. De Franceschi, M. Vinet
Opublikowane w: 2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), 2017, Strona(/y) 1-4, ISBN 978-1-5090-4502-0
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ICICDT.2017.7993523

Towards quantum computing in Si MOS technology: Single-shot readout of spin states in a FDSOI split-gate device with built-in charge detector

Autorzy: M. Urdampilleta, L. Hutin, B. Jadot, B. Bertrand, H. Bohuslavskyi, R. Maurand, S. Barraud, C. Bauerle, M. Sanquer, X. Jehl, S. De Franceschi, T. Meunier, M. Vinet
Opublikowane w: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017, Strona(/y) T172-T173, ISBN 978-4-86348-605-8
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/VLSIT.2017.7998163

Harnessing Si CMOS technology for quantum information

Autorzy: L. Hutin, B. Bertrand, R. Maurand, M. Urdampilleta, B. Jadot, H. Bohuslavskyi, L. Bourdet, Y.-M. Niquet, X. Jehl, S. Barraud, C. Bauerle, T. Meunier, M. Sanquer, S. De Franceschi, M. Vinet
Opublikowane w: 2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2017, Strona(/y) 141-142, ISBN 978-4-8634-8647-8
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/SNW.2017.8242337