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Mid- and far-IR optoelectronic devices based on Bose-Einstein condensation

Description du projet

Polaritons intersous-bande: ouvrir la voie à une optoélectronique sans précédent

L’optoélectronique intègre l’utilisation de l’électronique à l’interaction entre la lumière et la matière. Elle ouvre de nouvelles voies dans les domaines des communications optiques, de l’éclairage, des capteurs optiques et des cellules solaires. La plupart des dispositifs optoélectroniques reposent sur ce que l’on appelle le couplage faible entre la lumière et la matière. Un couplage fort entre les deux peut conduire à la formation de polaritons de cavité qui sont en partie des excitations lumineuses et en partie des excitations matérielles. Dans les semi-conducteurs, les excitons-polaritons constituent le type de système fortement couplé le plus étudié. Récemment, un nouveau type d’excitation a été découvert: les polaritons intersous-bandes. Le projet MIR-BOSE, financé par l’UE, vise à démontrer leur potentiel avec des dispositifs optoélectroniques entièrement nouveaux dans l’infrarouge moyen et lointain, basés sur les polaritons interbandes et la condensation de Bose-Einstein.

Objectif

Optoelectronic devices typically operate in the weak coupling regime between light and matter, for example in conventional lasers relying on population inversion to achieve optical gain. Recently there has been a surge of interest in quantum systems operating instead in the strong coupling regime, when the coupling strength of the light-matter interaction is so strong that new states – cavity polaritons – are created, that are partially light, partially material excitation. In semiconductors, exciton-polaritons have been the most widely studied type of strongly coupled system. Recently a new phenomenon has been realized exploiting intersubband transitions. The resulting excitations are called intersubband polaritons, and they have two remarkable properties: (i) a bosonic character that is maintained up to high carrier densities since they are not restricted by the Mott transition limit; (ii) large Rabi splittings. Although the scientific community has explored the basic science of intersubband polaritons, their potential for future and innovative optoelectronic devices has been entirely untapped.
The MIR-BOSE project will realize this potential, and demonstrate disruptive optoelectronic devices operating in the strong coupling regime between light and matter. We will demonstrate the first bosonic lasers operating in the mid-IR and THz ranges of the electromagnetic spectrum. Laser action here does not rely on population inversion, so we will achieve temperature independent operation and high powers. We will demonstrate a new concept of inverse-Q-switching leading to the generation of high power pulses in the mid-IR, overcoming severe bottlenecks in current technology. Finally, we will demonstrate non-classical/quantum light sources and devices, generating squeezed states of light in the mid-IR/THz spectral range for quantum optics. These new sources will have a major impact on several technologies and applications, being advantageous compared to current solutions.

Appel à propositions

H2020-FETOPEN-2016-2017

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Sous appel

H2020-FETOPEN-1-2016-2017

Coordinateur

UNIVERSITE PARIS-SACLAY
Contribution nette de l'UE
€ 466 562,50
Adresse
BATIMENT BREGUET - 3 RUE JOLIOT CURIE
91190 Gif-Sur-Yvette
France

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Région
Ile-de-France Ile-de-France Essonne
Type d’activité
Higher or Secondary Education Establishments
Liens
Coût total
€ 466 562,50

Participants (7)