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Quantum Nanowire Integrated Photonic Circuits

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Large Tolerance of Lasing Properties to Impurity Defects in GaAs(Sb)-AlGaAs Core-Shell Nanowire Lasers (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: T. Schreitmüller, H. W. Jeong, H. Esmaielpour, C. E. Mead, M. Ramsteiner, P. Schmiedeke, A. Thurn, A. Ajay, S. Matich, M. Döblinger, L. J. Lauhon, J. J. Finley, G. Koblmüller
Publié dans: CLEO 2024, 2024, Page(s) JTu2A.51
Éditeur: Optica Publishing Group
DOI: 10.1364/cleo_at.2024.jtu2a.51

Epitaxial type-I and type-II InAs-AlAsSb core–shell nanowires on silicon (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Fabio del Giudice, Sergej Fust, Paul Schmiedeke, Johannes Pantle, Markus Doblinger, Akhil Ajay, Steffen Meder, Hubert Riedl, Jonathan J. Finley, Gregor Koblmuller
Publié dans: 2022 Compound Semiconductor Week (CSW), 2022, Page(s) 1-2
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/csw55288.2022.9930369

Tuning Lasing Emission towards Long Wavelengths in GaAs-(In, Al)GaAs Core-Multishell Nanowires on Silicon (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Thomas Stettner, Paul Schmiedeke, Andreas Thurn, Markus Doeblinger, Jochen Bissinger, Daniel Ruhstorfer, Jonathan J. Finley, Gregor Koblmueller
Publié dans: 2019 Compound Semiconductor Week (CSW), 2019, Page(s) 1-1, ISBN 978-1-7281-0080-7
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/iciprm.2019.8819203

Waveguide Coupling of an Integrated Nanowire Laser on Silicon with Enhanced End-Facet Reflectivity (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Jochen Bissinger, Daniel Ruhstorfer, Thomas Stettner, Gregor Koblmueller, Jonathan J. Finley
Publié dans: Conference on Lasers and Electro-Optics, 2019, Page(s) FW3C.7, ISBN 978-1-943580-57-6
Éditeur: OSA
DOI: 10.1364/cleo_qels.2019.fw3c.7

Self-Induced Ultrafast Electron-Hole-Plasma Temperature Oscillations in Nanowire Lasers (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Andreas Thurn, Jochen Bissinger, Stefan Meinecke, Paul Schmiedeke, Sang Soon Oh, Weng W. Chow, Kathy Lüdge, Gregor Koblmüller, Jonathan J. Finley
Publié dans: Physical Review Applied, Numéro 20, 2023, ISSN 2331-7019
Éditeur: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/physrevapplied.20.034045

Purcell enhanced coupling of nanowire quantum emitters to silicon photonic waveguides (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Nitin Mukhundhan, Akhil Ajay, Jochen Bissinger, Jonathan J. Finley, Gregor Koblmüller
Publié dans: Optics Express, Numéro 29, 2024, Page(s) 43068, ISSN 1094-4087
Éditeur: Optical Society of America
DOI: 10.1364/oe.442527

Enhanced growth and properties of non-catalytic GaAs nanowires via Sb surfactant effects (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: A. Ajay, H. Jeong, T. Schreitmüller, M. Döblinger, D. Ruhstorfer, N. Mukhundhan, P. A. L. M. Koolen, J. J. Finley, G. Koblmüller
Publié dans: Applied Physics Letters, Numéro 121, 2023, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0095952

High-Throughput Spectroscopy of Geometry-Tunable Arrays of Axial InGaAs Nanowire Heterostructures with Twin-Induced Carrier Confinement (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Hyowon W. Jeong, Stephen A. Church, Markus Döblinger, Akhil Ajay, Benjamin Haubmann, Nikesh Patel, Jonathan J. Finley, Patrick W. Parkinson, Gregor Koblmüller
Publié dans: Nano Letters, Numéro 24, 2024, Page(s) 14515-14521, ISSN 1530-6984
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c04852

Nanoscale mapping of carrier recombination in GaAs/AlGaAs core-multishell nanowires by cathodoluminescence imaging in a scanning transmission electron microscope (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Marcus Müller, Frank Bertram, Peter Veit, Bernhard Loitsch, Julia Winnerl, Sonja Matich, Jonathan J. Finley, Gregor Koblmüller, Jürgen Christen
Publié dans: Applied Physics Letters, Numéro 115/24, 2019, Page(s) 243102, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5131704

Optimized waveguide coupling of an integrated III-V nanowire laser on silicon (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Jochen Bissinger, Daniel Ruhstorfer, Thomas Stettner, Gregor Koblmüller, Jonathan J. Finley
Publié dans: Journal of Applied Physics, Numéro 125/24, 2019, Page(s) 243102, ISSN 0021-8979
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5097405

Broad Range Tuning of InAs Quantum Dot Emission for Nanophotonic Devices in the Telecommunication Bands (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Bianca Scaparra, Elise Sirotti, Akhil Ajay, Björn Jonas, Beatrice Costa, Hubert Riedl, Pavel Avdienko, Ian D. Sharp, Gregor Koblmüller, Eugenio Zallo, Jonathan J. Finley, Kai Müller
Publié dans: ACS Applied Nano Materials, Numéro 7, 2024, Page(s) 26854-26862, ISSN 2574-0970
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsanm.4c04810

Sb-saturated high-temperature growth of extended, self-catalyzed GaAsSb nanowires on silicon with high quality (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: P Schmiedeke, M Döblinger, M A Meinhold-Heerlein, C Doganlar, J J Finley, G Koblmüller
Publié dans: Nanotechnology, Numéro 35, 2023, Page(s) 055601, ISSN 0957-4484
Éditeur: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/1361-6528/ad06ce

Sb‐Mediated Tuning of Growth‐ and Exciton Dynamics in Entirely Catalyst‐Free GaAsSb Nanowires (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Hyowon W. Jeong, Akhil Ajay, Haiting Yu, Markus Döblinger, Nitin Mukhundhan, Jonathan J. Finley, Gregor Koblmüller
Publié dans: Small, Numéro 19, 2023, ISSN 1613-6810
Éditeur: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/smll.202207531

3D Bragg Coherent Diffraction Imaging of Extended Nanowires: Defect Formation in Highly Strained InGaAs Quantum Wells (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Megan O. Hill, Paul Schmiedeke, Chunyi Huang, Siddharth Maddali, Xiaobing Hu, Stephan O. Hruszkewycz, Jonathan J. Finley, Gregor Koblmüller, Lincoln J. Lauhon
Publié dans: ACS Nano, Numéro 16, 2023, Page(s) 20281-20293, ISSN 1936-0851
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsnano.2c06071

Continuous Wave Mid‐Infrared Lasing from Single InAs Nanowires Grown on Silicon (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Steffen Meder, Benjamin Haubmann, Fabio del Giudice, Paul Schmiedeke, David Busse, Jona Zöllner, Jonathan J. Finley, Gregor Koblmüller
Publié dans: Advanced Functional Materials, Numéro 35, 2025, ISSN 1616-301X
Éditeur: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/adfm.202414046

Real-time thermal decomposition kinetics of GaAs nanowires and their crystal polytypes on the atomic scale (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Paul Schmiedeke, Federico Panciera, Jean-Christophe Harmand, Laurent Travers, Gregor Koblmüller
Publié dans: Nanoscale Advances, Numéro 5, 2024, Page(s) 2994-3004, ISSN 2516-0230
Éditeur: Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI: 10.1039/d3na00135k

Axial Growth Characteristics of Optically Active InGaAs Nanowire Heterostructures for Integrated Nanophotonic Devices (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Hyowon W. Jeong, Akhil Ajay, Markus Döblinger, Sebastian Sturm, Mikel Gómez Ruiz, Richard Zell, Nitin Mukhundhan, Daniel Stelzner, Jonas Lähnemann, Knut Müller-Caspary, Jonathan J. Finley, Gregor Koblmüller
Publié dans: ACS Applied Nano Materials, Numéro 7, 2025, Page(s) 3032-3041, ISSN 2574-0970
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/acsanm.3c05392

Low-threshold strain-compensated InGaAs/(In,Al)GaAs multi-quantum well nanowire lasers emitting near 1.3 μ m at room temperature (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: P. Schmiedeke, A. Thurn, S. Matich, M. Döblinger, J. J. Finley, G. Koblmüller
Publié dans: Applied Physics Letters, Numéro 118/22, 2021, Page(s) 221103, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0048807

Hot carrier dynamics in III–V semiconductor nanowires under dominant radiative and Auger recombination (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: Hamidreza Esmaielpour, Paul Schmiedeke, Nabi Isaev, Cem Doganlar, Markus Döblinger, Jonathan J. Finley, Gregor Koblmüller
Publié dans: Applied Physics Letters, Numéro 126, 2025, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0248247

Spatial dependence of dopant incorporation and electrical transport in Si-doped GaAs(Sb) nanowires (s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)

Auteurs: T. Schreitmüller, D. Kumar Saluja, C. E. Mead, M. Ramsteiner, H. W. Jeong, H. Esmaielpour, C. Huang, D. Ruhstorfer, J. J. Finley, L. J. Lauhon, G. Koblmüller
Publié dans: Physical Review Materials, Numéro 8, 2024, ISSN 2475-9953
Éditeur: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/physrevmaterials.8.076002

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