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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Nano-Ridge Engineering for Densely Integrated III-V Lasers Directly Grown on Silicon

Descripción del proyecto

Fuentes de luz integradas en un chip eficientes para la fotónica del silicio

La fotónica del silicio (la aplicación de sistemas fotónicos que utilizan el silicio como medio óptico) utiliza la tecnología madura de procesamiento de obleas de silicio de la industria tradicional de semiconductores. A pesar del progreso en este ámbito, la falta de fuentes ópticas verdaderamente integradas evita que la fotónica del silicio migre a aplicaciones de consumo de mayor volumen o se utilice en las interconexiones de centros de datos. El proyecto NARIoS, financiado con fondos europeos, se basará en una potente plataforma de reciente desarrollo que integra semiconductores de los grupos III-V de banda prohibida directa en obleas de silicio estándar, mediante el uso de procesos a escala de oblea reales. El objetivo principal del proyecto es proponer conceptos de dispositivos que superen el compromiso entre el confinamiento óptico y la inyección de corriente eficiente.

Objetivo

Although Silicon Photonics, i.e. using mature technologies from the CMOS-industry for realizing complex photonic ICs, progressed enormously, with industrial uptake by the biggest electronics manufactures, its real breakthrough, in e.g. large volume consumer applications or very short interconnects, is hampered by its lack of a true waferscale optical source. Combining aspect-ratio trapping, to suppress defects, and nano-ridge engineering, to shape the resulting material, we have developed a powerful platform to integrate direct bandgap III-V semiconductors on standard silicon wafers, using truly waferscale processes. The exceptionally high quality of this material was confirmed through morphological studies, gain and lifetime measurements and the demonstration of lasing under optical pumping. For practical applications, electrical injection is key though, which thus far has been elusive as the dimensions of the resulting GaAs/InGaAs nano-ridges are too small to directly apply electrical contacts without introducing unacceptable losses. Therefore, NARIoS' primary objective is to propose device concepts that overcome the trade-off between optical confinement and efficient current injection. We aim at the demonstration of electrically injected microcavity lasers for low-power applications and the demonstration of a novel class of mW-lasers with in-plane or out-of-plane emission, exploiting the possibility to grow highly uniform arrays of these nano-ridges. Next, we aim to demonstrate single photon emission from long-wavelength InAs-quantum dots grown on the nano-ridge platform, eventually integrated in a suitable microcavity. These device-oriented objectives will be complemented by two transversal objectives: development and extensive characterisation of InGaAs nano-ridges for extending the lasing wavelength and exploiting novel concepts from recent literature to design lasers resilient to optical feedback and/or exhibiting lasing in a single coherent spatial mode.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..

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Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

ERC-ADG - Advanced Grant

Ver todos los proyectos financiados en el marco de este régimen de financiación

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

(se abrirá en una nueva ventana) ERC-2019-ADG

Ver todos los proyectos financiados en el marco de esta convocatoria

Institución de acogida

UNIVERSITEIT GENT
Aportación neta de la UEn

Aportación financiera neta de la UE. Es la suma de dinero que recibe el participante, deducida la aportación de la UE a su tercero vinculado. Considera la distribución de la aportación financiera de la UE entre los beneficiarios directos del proyecto y otros tipos de participantes, como los terceros participantes.

€ 2 482 750,00
Dirección
SINT PIETERSNIEUWSTRAAT 25
9000 Gent
Bélgica

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Región
Vlaams Gewest Prov. Oost-Vlaanderen Arr. Gent
Tipo de actividad
Higher or Secondary Education Establishments
Enlaces
Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

€ 2 482 750,00

Beneficiarios (1)

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