Investigation of carrier multiplication in van der Waals heterostructures for highly efficient solar cells

Informations projet

CAMPVANS

N° de convention de subvention: 885893

DOI

10.3030/885893

Projet clôturé

Date de signature de la CE 27 Février 2020

Date de début 1 Mars 2021

Date de fin 28 Février 2023

Financé au titre de

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coût total

€ 191 149,44

Contribution de l’UE

€ 191 149,44

Coordonné par

EIDGENOESSISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE ZUERICH
Switzerland

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Publications

Peer reviewed articles (4)

Dissipative transport and phonon scattering suppression via valley engineering in single-layer antimonene and arsenene field-effect transistors

Auteurs: Jiang Cao, Yu Wu, Hao Zhang, Demetrio Logoteta, Shengli Zhang & Marco Pala
Publié dans: npj 2D Materials and Applications, Numéro 5, 2021, Page(s) 59, ISSN 2397-7132
Éditeur: Springer Nature
DOI: 10.1038/s41699-021-00238-9

Light-matter interactions in van der Waals photodiodes from first-principles

Auteurs: Cao, Jiang; Fiore, Sara; Klinkert, Cedric; id_orcid0000-0003-2385-2727; Vetsch, Nicolas; id_orcid0000-0002-0818-8461; Luisier, Mathieu
Publié dans: Physical Review B, 106, Numéro 106, 2022, Page(s) 035306, ISSN 2469-9950
Éditeur: American Physical Society (APS)
DOI: 10.3929/ethz-b-000555755

Bulk photovoltaic effect in partial overlap MoSe2-WSe2 van der Waals heterostructures: An ab initio quantum transport study

Auteurs: Cao, Jiang; Fiore, Sara; Klinkert, Cedric; id_orcid0000-0003-2385-2727; Luisier, Mathieu
Publié dans: Solid-State Electronics, 197, Numéro 1, 2022, ISSN 0038-1101
Éditeur: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.3929/ethz-b-000574115

Dynamics of van der Waals charge qubit in two-dimensional bilayer materials: Ab initio quantum transport and qubit measurement

Auteurs: Jiang Cao, Guido Gandus, Tarun Agarwal, Mathieu Luisier, and Youseung Lee
Publié dans: Phys. Rev. Research, Numéro 4, 2022, Page(s) 043073, ISSN 2643-1564
Éditeur: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevresearch.4.043073

Conference proceedings (1)

Ab initio quantum transport simulations of defective devices based on 2-D materials via a projected-GW approach

Auteurs: G. Gandus; J. Cao; T. Agarwal; M. Luisier; Y. Lee
Publié dans: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), Numéro 2022, 2022, Page(s) 10019510, ISBN 978-1-6654-8959-1
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/iedm45625.2022.10019510