Investigation of carrier multiplication in van der Waals heterostructures for highly efficient solar cells

Informazioni relative al progetto

CAMPVANS

ID dell’accordo di sovvenzione: 885893

DOI

10.3030/885893

Progetto chiuso

Data della firma CE 27 Febbraio 2020

Data di avvio 1 Marzo 2021

Data di completamento 28 Febbraio 2023

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Costo totale

€ 191 149,44

Contributo UE

€ 191 149,44

Coordinato da

EIDGENOESSISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE ZUERICH
Switzerland

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Pubblicazioni

Peer reviewed articles (4)

Dissipative transport and phonon scattering suppression via valley engineering in single-layer antimonene and arsenene field-effect transistors

Autori: Jiang Cao, Yu Wu, Hao Zhang, Demetrio Logoteta, Shengli Zhang & Marco Pala
Pubblicato in: npj 2D Materials and Applications, Numero 5, 2021, Pagina/e 59, ISSN 2397-7132
Editore: Springer Nature
DOI: 10.1038/s41699-021-00238-9

Light-matter interactions in van der Waals photodiodes from first-principles

Autori: Cao, Jiang; Fiore, Sara; Klinkert, Cedric; id_orcid0000-0003-2385-2727; Vetsch, Nicolas; id_orcid0000-0002-0818-8461; Luisier, Mathieu
Pubblicato in: Physical Review B, 106, Numero 106, 2022, Pagina/e 035306, ISSN 2469-9950
Editore: American Physical Society (APS)
DOI: 10.3929/ethz-b-000555755

Bulk photovoltaic effect in partial overlap MoSe2-WSe2 van der Waals heterostructures: An ab initio quantum transport study

Autori: Cao, Jiang; Fiore, Sara; Klinkert, Cedric; id_orcid0000-0003-2385-2727; Luisier, Mathieu
Pubblicato in: Solid-State Electronics, 197, Numero 1, 2022, ISSN 0038-1101
Editore: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.3929/ethz-b-000574115

Dynamics of van der Waals charge qubit in two-dimensional bilayer materials: Ab initio quantum transport and qubit measurement

Autori: Jiang Cao, Guido Gandus, Tarun Agarwal, Mathieu Luisier, and Youseung Lee
Pubblicato in: Phys. Rev. Research, Numero 4, 2022, Pagina/e 043073, ISSN 2643-1564
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevresearch.4.043073

Conference proceedings (1)

Ab initio quantum transport simulations of defective devices based on 2-D materials via a projected-GW approach

Autori: G. Gandus; J. Cao; T. Agarwal; M. Luisier; Y. Lee
Pubblicato in: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), Numero 2022, 2022, Pagina/e 10019510, ISBN 978-1-6654-8959-1
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/iedm45625.2022.10019510