Transparent Aluminium Networks

Información del proyecto

TALNET

Identificador del acuerdo de subvención: 899886

DOI

10.3030/899886

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 11 Febrero 2020

Fecha de inicio 1 Marzo 2020

Fecha de finalización 28 Febrero 2022

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Coste total

Sin datos

Aportación de la UE

€ 150 000,00

Coordinado por

THE PROVOST, FELLOWS, FOUNDATION SCHOLARS & THE OTHER MEMBERS OF BOARD, OF THE COLLEGE OF THE HOLY & UNDIVIDED TRINITY OF QUEEN ELIZABETH NEAR DUBLIN
Ireland

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Publicaciones

Peer reviewed articles (7)

Tuning the Electro-Optical Properties of Nanowire Networks

Autores: K. Esteki, H. G. Manning, E. Sheerin, M. S. Ferreira, J. J. Boland, and C. G. Rocha.
Publicado en: Nanoscale, Edición V.13, 2021, Página(s) 15369 - 15379, ISSN 2040-3372
Editor: Royal Society of Chemistry
DOI: 10.1039/d1nr03944j

Stretching the Equilibrium Limit of Sn in Ge 1– x Sn x Nanowires: Implications for Field Effect Transistors

Autores: Subhajit Biswas, Jessica Doherty, Emmanuele Galluccio, Hugh G. Manning, Michele Conroy, Ray Duffy, Ursel Bangert, John J. Boland, Justin D. Holmes
Publicado en: ACS Applied Nano Materials, Edición 4/2, 2021, Página(s) 1048-1056, ISSN 2574-0970
Editor: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsanm.0c02569

Nonlinear ion drift-diffusion memristance description of TiO 2 RRAM devices

Autores: Sahar Alialy, Koorosh Esteki, Mauro S. Ferreira, John J. Boland, Claudia Gomes da Rocha
Publicado en: Nanoscale Advances, Edición 2/6, 2020, Página(s) 2514-2524, ISSN 2516-0230
Editor: Royal Society of Chemistry
DOI: 10.1039/d0na00195c

Crystallographically Controlled Synthesis of SnSe Nanowires: Potential in Resistive Memory Devices

Autores: Fionán Davitt, Hugh G. Manning, Fred Robinson, Samantha L. Hawken, Subhajit Biswas, Nikolay Petkov, Maart Druenen, John J. Boland, Gillian Reid, Justin D. Holmes
Publicado en: Advanced Materials Interfaces, Edición 7/16, 2020, Página(s) 2000474, ISSN 2196-7350
Editor: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
DOI: 10.1002/admi.202000474

Switching at the contacts in Ge 9 Sb 1 Te 5 phase-change nanowire devices

Autores: Sahar Alialy, Michelle Gabriel, Fionan Davitt, Justin D Holmes, John J Boland
Publicado en: Nanotechnology, Edición 30/33, 2019, Página(s) 335706, ISSN 0957-4484
Editor: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/1361-6528/ab1cf8

The resistance of Cu nanowire–nanowire junctions and electro-optical modeling of Cu nanowire networks

Autores: Hugh G. Manning, Patrick F. Flowers, Mutya A. Cruz, Claudia Gomes da Rocha, Colin O' Callaghan, Mauro S. Ferreira, Benjamin J. Wiley, John J. Boland
Publicado en: Applied Physics Letters, Edición 116/25, 2020, Página(s) 251902, ISSN 0003-6951
Editor: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0012005

Emulating synaptic response in n- and p-channel MoS2 transistors by utilizing charge trapping dynamics

Autores: Shubhadeep Bhattacharjee, Rient Wigchering, Hugh G. Manning, John. J. Boland, Paul K. Hurley
Publicado en: Scientific Reports, Edición 10/1, 2020, ISSN 2045-2322
Editor: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41598-020-68793-7

Derechos de propiedad intelectual

Patent (1)

METHOD OF PREPARING NANOWIRE NETWORKS AND NETWORKS PREPARED THEREBY

Número de solicitud/publicación: 20 21062365
Fecha: 2021-05-10
Solicitante(s): THE PROVOST, FELLOWS, FOUNDATION SCHOLARS & THE OTHER MEMBERS OF BOARD, OF THE COLLEGE OF THE HOLY & UNDIVIDED TRINITY OF QUEEN ELIZABETH NEAR DUBLIN