Tuning the Electro-Optical Properties of Nanowire Networks
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Autori:
K. Esteki, H. G. Manning, E. Sheerin, M. S. Ferreira, J. J. Boland, and C. G. Rocha.
Pubblicato in:
Nanoscale, Numero V.13, 2021, Pagina/e 15369 - 15379, ISSN 2040-3372
Editore:
Royal Society of Chemistry
DOI:
10.1039/d1nr03944j
Stretching the Equilibrium Limit of Sn in Ge 1– x Sn x Nanowires: Implications for Field Effect Transistors
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Autori:
Subhajit Biswas, Jessica Doherty, Emmanuele Galluccio, Hugh G. Manning, Michele Conroy, Ray Duffy, Ursel Bangert, John J. Boland, Justin D. Holmes
Pubblicato in:
ACS Applied Nano Materials, Numero 4/2, 2021, Pagina/e 1048-1056, ISSN 2574-0970
Editore:
American Chemical Society
DOI:
10.1021/acsanm.0c02569
Nonlinear ion drift-diffusion memristance description of TiO 2 RRAM devices
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Autori:
Sahar Alialy, Koorosh Esteki, Mauro S. Ferreira, John J. Boland, Claudia Gomes da Rocha
Pubblicato in:
Nanoscale Advances, Numero 2/6, 2020, Pagina/e 2514-2524, ISSN 2516-0230
Editore:
Royal Society of Chemistry
DOI:
10.1039/d0na00195c
Crystallographically Controlled Synthesis of SnSe Nanowires: Potential in Resistive Memory Devices
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Autori:
Fionán Davitt, Hugh G. Manning, Fred Robinson, Samantha L. Hawken, Subhajit Biswas, Nikolay Petkov, Maart Druenen, John J. Boland, Gillian Reid, Justin D. Holmes
Pubblicato in:
Advanced Materials Interfaces, Numero 7/16, 2020, Pagina/e 2000474, ISSN 2196-7350
Editore:
WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
DOI:
10.1002/admi.202000474
Switching at the contacts in Ge 9 Sb 1 Te 5 phase-change nanowire devices
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Autori:
Sahar Alialy, Michelle Gabriel, Fionan Davitt, Justin D Holmes, John J Boland
Pubblicato in:
Nanotechnology, Numero 30/33, 2019, Pagina/e 335706, ISSN 0957-4484
Editore:
Institute of Physics Publishing
DOI:
10.1088/1361-6528/ab1cf8
The resistance of Cu nanowire–nanowire junctions and electro-optical modeling of Cu nanowire networks
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Autori:
Hugh G. Manning, Patrick F. Flowers, Mutya A. Cruz, Claudia Gomes da Rocha, Colin O' Callaghan, Mauro S. Ferreira, Benjamin J. Wiley, John J. Boland
Pubblicato in:
Applied Physics Letters, Numero 116/25, 2020, Pagina/e 251902, ISSN 0003-6951
Editore:
American Institute of Physics
DOI:
10.1063/5.0012005
Emulating synaptic response in n- and p-channel MoS2 transistors by utilizing charge trapping dynamics
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Autori:
Shubhadeep Bhattacharjee, Rient Wigchering, Hugh G. Manning, John. J. Boland, Paul K. Hurley
Pubblicato in:
Scientific Reports, Numero 10/1, 2020, ISSN 2045-2322
Editore:
Nature Publishing Group
DOI:
10.1038/s41598-020-68793-7
