Spin-orbit materials, emergent phenomena and related technology training

Información del proyecto

SPEAR

Identificador del acuerdo de subvención: 955671

DOI

10.3030/955671

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 3 Septiembre 2020

Fecha de inicio 1 Marzo 2021

Fecha de finalización 31 Agosto 2025

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coste total

€ 3 975 822,36

Aportación de la UE

€ 3 975 822,36

Coordinado por

ASOCIACION CENTRO DE INVESTIGACION COOPERATIVA EN NANOCIENCIAS CIC NANOGUNE
Spain

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Publicaciones

Peer reviewed articles (21)

Twist-angle-tunable spin texture in WSe2/graphene van der Waals heterostructures

Autores: Haozhe Yang, Beatriz Martín-García, Jozef Kimák, Eva Schmoranzerová, Eoin Dolan, Zhendong Chi, Marco Gobbi, Petr Němec, Luis E. Hueso, Fèlix Casanova
Publicado en: Nature Materials, Edición 23, 2024, Página(s) 1502-1508, ISSN 1476-1122
Editor: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41563-024-01985-y

Enhanced Spin Relaxation Time in a 2D/1D Van Der Waals Hybrid Heterostructure

Autores: Garen Avedissian, Eoin Dolan, Beatriz Martín‐García, Marco Gobbi, Fèlix Casanova, Luis E. Hueso
Publicado en: Small, Edición 21, 2025, ISSN 1613-6810
Editor: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/smll.202503192

Circular motion of noncollinear spin textures in Corbino disks: Dynamics of Néel- versus Bloch-type skyrmions and skyrmioniums

Autores: Ismael Ribeiro de Assis, Ingrid Mertig, Börge Göbel
Publicado en: Physical Review B, Edición 110, 2024, Página(s) 064404, ISSN 2469-9950
Editor: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.110.064404

Gate‐Tunable Spin Hall Effect in Trilayer Graphene/Group‐IV Monochalcogenide van der Waals Heterostructures

Autores: Haozhe Yang, Zhendong Chi, Garen Avedissian, Eoin Dolan, Muthumalai Karuppasamy, Beatriz Martín‐García, Marco Gobbi, Zdenek Sofer, Luis E. Hueso, Fèlix Casanova
Publicado en: Advanced Functional Materials, Edición 42, 2024, Página(s) 2404872, ISSN 1616-301X
Editor: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/adfm.202404872

Non-volatile electric control of spin-orbit torques in an oxide two-dimensional electron gas

Autores: Cécile Grezes, Aurélie Kandazoglou, Maxen Cosset-Cheneau, Luis Arche, Paul Noël, Paolo Sgarro, Stephane Auffret, Kevin Garello, Manuel Bibes, Laurent Vila, Jean-Philippe Attané
Publicado en: Nature Communications, Edición 14, 2023, Página(s) 2590, ISSN 2041-1723
Editor: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-023-37866-2

Gate‐Tunable Exchange Bias and Voltage‐Controlled Magnetization Switching in a van der Waals Ferromagnet

Autores: Mayank Sharma, Garen Avedissian, Witold Skowroński, Junhyeon Jo, Andrey Chuvilin, Fèlix Casanova, Marco Gobbi, Luis E. Hueso
Publicado en: Advanced Materials Interfaces, 2024, Página(s) 2400678, ISSN 2196-7350
Editor: Wiley
DOI: 10.1002/admi.202400678

Pulse-shaping strategies for efficient switching of magnetic tunnel junctions by spin-orbit torque

Autores: Marco Hoffmann, Viola Krizakova, Vaishnavi Kateel, Kaiming Cai, Sebastien Couet, Pietro Gambardella
Publicado en: Physical Review Applied, Edición 22, 2024, Página(s) 034052, ISSN 2331-7019
Editor: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevapplied.22.034052

Spin-Orbit Readout Using Thin Films of Topological Insulator Sb2Te3 Deposited by Industrial Magnetron Sputtering

Autores: Salvatore Teresi, Nicolas Sebe, Jessy Patterson, Théo Frottier, Aurélie Kandazoglou, Paul Noël, Paolo Sgarro, Damien Térébénec, Nicolas Bernier, Françoise Hippert, Jean-Philippe Attané, Laurent Vila, Pierre Noé, Maxen Cosset-Chéneau
Publicado en: Advanced Functional Materials, Edición 33, 44, 2023, Página(s) 2303878, ISSN 1616-301X
Editor: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/adfm.202303878

Gate tunable spin–charge interconversion in a graphene/ReS2 heterostructure up to room temperature

Autores: Eoin Dolan, Zhendong Chi, Haozhe Yang, Luis E. Hueso, Fèlix Casanova
Publicado en: Applied Physics Letters, Edición 127, 2025, ISSN 0003-6951
Editor: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0276671

Biskyrmion-based artificial neuron

Autores: Ismael Ribeiro de Assis , Ingrid Mertig, Börge Göbel
Publicado en: Neuromorphic Computing and Engineering, Edición 3, 2023, Página(s) 014012, ISSN 2634-4386
Editor: IOP Publishing Ltd
DOI: 10.1088/2634-4386/acb841

RC circuit based on magnetic skyrmions

Autores: Ismael Ribeiro de Assis, Ingrid Mertig, Börge Göbel
Publicado en: Physical Review B, Edición 108, 2023, Página(s) 144438, ISSN 2469-9950
Editor: American Physical Society

Control of Charge-Spin Interconversion in van der Waals Heterostructures with Chiral Charge Density Waves

Autores: Zhendong Chi, Seungjun Lee, Haozhe Yang, Eoin Dolan, C. K. Safeer, Josep Ingla-Aynés, Franz Herling, Nerea Ontoso, Beatriz Martín-García, Marco Gobbi, Tony Low, Luis E. Hueso, Fèlix Casanova
Publicado en: Advanced Materials, 2024, ISSN 0935-9648
Editor: United Nations Industrial Developement Organization
DOI: 10.1002/adma.202310768

Spin and orbital Edelstein effect in a bilayer system with Rashba interaction

Autores: M., Sergio Leiva; Henk, Jürgen; Mertig, Ingrid; Johansson, Annika
Publicado en: Physical Review Research, Edición 5, 2023, Página(s) 043294, ISSN 2643-1564
Editor: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevresearch.5.043294

Phase Coexistence of Mn Trimer Clusters and Antiferromagnetic Mn Islands on Ir(111)

Autores: Arturo Rodríguez-Sota, Vishesh Saxena, Jonas Spethmann, Roland Wiesendanger, Roberto Lo Conte, André Kubetzka, and Kirsten von Bergmann
Publicado en: ACS Nano, 2024, ISSN 1936-0851
Editor: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsnano.3c11459

Large Non-Volatile Frequency Tuning of Spin Hall Nano-Oscillators using Circular Memristive Nano-Gates

Autores: Maha Khademi, Akash Kumar, Mona Rajabali, Saroj P. Dash and Johan Åkerman
Publicado en: IEEE Electron Device Letters, 2024, ISSN 0741-3106
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2023.3339218

Bilinear magnetoresistance in HgTe topological insulator: opposite signs at opposite surfaces demonstrated by gate control

Autores: Yu Fu; Jing Li; Jules Papin; Paul Noël; Salvatore Teresi; Maxen Cosset-Chéneau; Cécile Grezes; Thomas Guillet; Candice Thomas; Yann-Michel Niquet; Philippe Ballet; Tristan Meunier; Jean-Philippe Attané; Albert Fert; Laurent Vila
Publicado en: Nano Letters, Edición 22, 19, 2022, Página(s) 7867–7873, ISSN 1530-6992
Editor: American Chemical Society
DOI: 10.21203/rs.3.rs-754658/v1

Electrical measurement of the spin Hall effect isotropy in ferromagnets with strong spin-orbit interactions

Autores: M. Cosset-Chéneau, M. Husien Fahmy, A. Kandazoglou, C. Grezes, A. Brenac, S. Teresi, P. Sgarro, P. Warin, A. Marty, V. T. Pham, J.-P. Attané, and L. Vila
Publicado en: Physical Review B, 2022, ISSN 2469-9969
Editor: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.106.l220405

Minimizing Sensor-Sample Distances in Scanning Nitrogen-Vacancy Magnetometry

Autores: Zhewen Xu, Marius L. Palm, William Huxter, Konstantin Herb, John M. Abendroth, Karim Bouzehouane, Olivier Boulle, Mihai S. Gabor, Joseba Urrestarazu Larranaga, Andrea Morales, Jan Rhensius, Gabriel Puebla-Hellmann, Christian L. Degen
Publicado en: ACS Nano, Edición 19, 2025, Página(s) 8255-8265, ISSN 1936-0851
Editor: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsnano.4c18460

Skyrmion motion in magnetic anisotropy gradients: Acceleration caused by deformation

Autores: Ismael Ribeiro de Assis; Ingrid Mertig; Börge Göbel
Publicado en: Physical Review B, Edición 108, 2023, Página(s) 144438, ISSN 2469-9950
Editor: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.108.144438

Tailoring the Switching Efficiency of Magnetic Tunnel Junctions by the Fieldlike Spin-Orbit Torque

Autores: Viola Krizakova, Marco Hoffmann, Vaishnavi Kateel, Siddharth Rao, Sebastien Couet, Gouri Sankar Kar, Kevin Garello, Pietro Gambardella
Publicado en: Physical Review Applied, Edición 18, 2022, Página(s) 044070, ISSN 2331-7019
Editor: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevapplied.18.044070

Gate-Tunable Spin Hall Effect in an All-Light-Element Heterostructure: Graphene with Copper Oxide

Autores: Haozhe Yang, Maider Ormaza, Zhendong Chi, Eoin Dolan, Josep Ingla-Aynés, C.K. Safeer, Franz Herling, Nerea Ontoso, Marco Gobbi, Beatriz Martín-García, Frederik Schiller, Luis E. Hueso, and Fèlix Casanova.
Publicado en: Nano Letters, Edición 12, 10, 2023, Página(s) 4406–4414, ISSN 1530-6992
Editor: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c00687

Conference proceedings (2)

First demonstration of field-free perpendicular SOT-MRAM for ultrafast and high-density embedded memories

Autores: K. Cai, G Talmelli, K Fan, S Van Beek, V Kateel, M Gupta, MG Monteiro, M Ben Chroud, G Jayakumar, A Trovato, S Rao, GS Kar, S Couet
Publicado en: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2022, 2022
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/iedm45625.2022.10019360

MTJ degradation in multi-pillar SOT-MRAM with selective writing

Autores: Simon Van Beek, Kaiming Cai, Kaiquan Fan, Giacomo Talmelli, Anna Trovato, Nico Jossart, Siddharth Rao, Adrian Chasin, Sebastien Couet
Publicado en: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023, Página(s) 1-7
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/irps48203.2023.10117917