Spin-orbit materials, emergent phenomena and related technology training

Informazioni relative al progetto

SPEAR

ID dell’accordo di sovvenzione: 955671

DOI

10.3030/955671

Progetto chiuso

Data della firma CE 3 Settembre 2020

Data di avvio 1 Marzo 2021

Data di completamento 31 Agosto 2025

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Costo totale

€ 3 975 822,36

Contributo UE

€ 3 975 822,36

Coordinato da

ASOCIACION CENTRO DE INVESTIGACION COOPERATIVA EN NANOCIENCIAS CIC NANOGUNE
Spain

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Risultati finali

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Pubblicazioni

Peer reviewed articles (21)

Twist-angle-tunable spin texture in WSe2/graphene van der Waals heterostructures

Autori: Haozhe Yang, Beatriz Martín-García, Jozef Kimák, Eva Schmoranzerová, Eoin Dolan, Zhendong Chi, Marco Gobbi, Petr Němec, Luis E. Hueso, Fèlix Casanova
Pubblicato in: Nature Materials, Numero 23, 2024, Pagina/e 1502-1508, ISSN 1476-1122
Editore: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41563-024-01985-y

Enhanced Spin Relaxation Time in a 2D/1D Van Der Waals Hybrid Heterostructure

Autori: Garen Avedissian, Eoin Dolan, Beatriz Martín‐García, Marco Gobbi, Fèlix Casanova, Luis E. Hueso
Pubblicato in: Small, Numero 21, 2025, ISSN 1613-6810
Editore: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/smll.202503192

Circular motion of noncollinear spin textures in Corbino disks: Dynamics of Néel- versus Bloch-type skyrmions and skyrmioniums

Autori: Ismael Ribeiro de Assis, Ingrid Mertig, Börge Göbel
Pubblicato in: Physical Review B, Numero 110, 2024, Pagina/e 064404, ISSN 2469-9950
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.110.064404

Gate‐Tunable Spin Hall Effect in Trilayer Graphene/Group‐IV Monochalcogenide van der Waals Heterostructures

Autori: Haozhe Yang, Zhendong Chi, Garen Avedissian, Eoin Dolan, Muthumalai Karuppasamy, Beatriz Martín‐García, Marco Gobbi, Zdenek Sofer, Luis E. Hueso, Fèlix Casanova
Pubblicato in: Advanced Functional Materials, Numero 42, 2024, Pagina/e 2404872, ISSN 1616-301X
Editore: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/adfm.202404872

Non-volatile electric control of spin-orbit torques in an oxide two-dimensional electron gas

Autori: Cécile Grezes, Aurélie Kandazoglou, Maxen Cosset-Cheneau, Luis Arche, Paul Noël, Paolo Sgarro, Stephane Auffret, Kevin Garello, Manuel Bibes, Laurent Vila, Jean-Philippe Attané
Pubblicato in: Nature Communications, Numero 14, 2023, Pagina/e 2590, ISSN 2041-1723
Editore: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-023-37866-2

Gate‐Tunable Exchange Bias and Voltage‐Controlled Magnetization Switching in a van der Waals Ferromagnet

Autori: Mayank Sharma, Garen Avedissian, Witold Skowroński, Junhyeon Jo, Andrey Chuvilin, Fèlix Casanova, Marco Gobbi, Luis E. Hueso
Pubblicato in: Advanced Materials Interfaces, 2024, Pagina/e 2400678, ISSN 2196-7350
Editore: Wiley
DOI: 10.1002/admi.202400678

Pulse-shaping strategies for efficient switching of magnetic tunnel junctions by spin-orbit torque

Autori: Marco Hoffmann, Viola Krizakova, Vaishnavi Kateel, Kaiming Cai, Sebastien Couet, Pietro Gambardella
Pubblicato in: Physical Review Applied, Numero 22, 2024, Pagina/e 034052, ISSN 2331-7019
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevapplied.22.034052

Spin-Orbit Readout Using Thin Films of Topological Insulator Sb2Te3 Deposited by Industrial Magnetron Sputtering

Autori: Salvatore Teresi, Nicolas Sebe, Jessy Patterson, Théo Frottier, Aurélie Kandazoglou, Paul Noël, Paolo Sgarro, Damien Térébénec, Nicolas Bernier, Françoise Hippert, Jean-Philippe Attané, Laurent Vila, Pierre Noé, Maxen Cosset-Chéneau
Pubblicato in: Advanced Functional Materials, Numero 33, 44, 2023, Pagina/e 2303878, ISSN 1616-301X
Editore: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/adfm.202303878

Gate tunable spin–charge interconversion in a graphene/ReS2 heterostructure up to room temperature

Autori: Eoin Dolan, Zhendong Chi, Haozhe Yang, Luis E. Hueso, Fèlix Casanova
Pubblicato in: Applied Physics Letters, Numero 127, 2025, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0276671

Biskyrmion-based artificial neuron

Autori: Ismael Ribeiro de Assis , Ingrid Mertig, Börge Göbel
Pubblicato in: Neuromorphic Computing and Engineering, Numero 3, 2023, Pagina/e 014012, ISSN 2634-4386
Editore: IOP Publishing Ltd
DOI: 10.1088/2634-4386/acb841

RC circuit based on magnetic skyrmions

Autori: Ismael Ribeiro de Assis, Ingrid Mertig, Börge Göbel
Pubblicato in: Physical Review B, Numero 108, 2023, Pagina/e 144438, ISSN 2469-9950
Editore: American Physical Society

Control of Charge-Spin Interconversion in van der Waals Heterostructures with Chiral Charge Density Waves

Autori: Zhendong Chi, Seungjun Lee, Haozhe Yang, Eoin Dolan, C. K. Safeer, Josep Ingla-Aynés, Franz Herling, Nerea Ontoso, Beatriz Martín-García, Marco Gobbi, Tony Low, Luis E. Hueso, Fèlix Casanova
Pubblicato in: Advanced Materials, 2024, ISSN 0935-9648
Editore: United Nations Industrial Developement Organization
DOI: 10.1002/adma.202310768

Spin and orbital Edelstein effect in a bilayer system with Rashba interaction

Autori: M., Sergio Leiva; Henk, Jürgen; Mertig, Ingrid; Johansson, Annika
Pubblicato in: Physical Review Research, Numero 5, 2023, Pagina/e 043294, ISSN 2643-1564
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevresearch.5.043294

Phase Coexistence of Mn Trimer Clusters and Antiferromagnetic Mn Islands on Ir(111)

Autori: Arturo Rodríguez-Sota, Vishesh Saxena, Jonas Spethmann, Roland Wiesendanger, Roberto Lo Conte, André Kubetzka, and Kirsten von Bergmann
Pubblicato in: ACS Nano, 2024, ISSN 1936-0851
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsnano.3c11459

Large Non-Volatile Frequency Tuning of Spin Hall Nano-Oscillators using Circular Memristive Nano-Gates

Autori: Maha Khademi, Akash Kumar, Mona Rajabali, Saroj P. Dash and Johan Åkerman
Pubblicato in: IEEE Electron Device Letters, 2024, ISSN 0741-3106
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2023.3339218

Bilinear magnetoresistance in HgTe topological insulator: opposite signs at opposite surfaces demonstrated by gate control

Autori: Yu Fu; Jing Li; Jules Papin; Paul Noël; Salvatore Teresi; Maxen Cosset-Chéneau; Cécile Grezes; Thomas Guillet; Candice Thomas; Yann-Michel Niquet; Philippe Ballet; Tristan Meunier; Jean-Philippe Attané; Albert Fert; Laurent Vila
Pubblicato in: Nano Letters, Numero 22, 19, 2022, Pagina/e 7867–7873, ISSN 1530-6992
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.21203/rs.3.rs-754658/v1

Electrical measurement of the spin Hall effect isotropy in ferromagnets with strong spin-orbit interactions

Autori: M. Cosset-Chéneau, M. Husien Fahmy, A. Kandazoglou, C. Grezes, A. Brenac, S. Teresi, P. Sgarro, P. Warin, A. Marty, V. T. Pham, J.-P. Attané, and L. Vila
Pubblicato in: Physical Review B, 2022, ISSN 2469-9969
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.106.l220405

Minimizing Sensor-Sample Distances in Scanning Nitrogen-Vacancy Magnetometry

Autori: Zhewen Xu, Marius L. Palm, William Huxter, Konstantin Herb, John M. Abendroth, Karim Bouzehouane, Olivier Boulle, Mihai S. Gabor, Joseba Urrestarazu Larranaga, Andrea Morales, Jan Rhensius, Gabriel Puebla-Hellmann, Christian L. Degen
Pubblicato in: ACS Nano, Numero 19, 2025, Pagina/e 8255-8265, ISSN 1936-0851
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsnano.4c18460

Skyrmion motion in magnetic anisotropy gradients: Acceleration caused by deformation

Autori: Ismael Ribeiro de Assis; Ingrid Mertig; Börge Göbel
Pubblicato in: Physical Review B, Numero 108, 2023, Pagina/e 144438, ISSN 2469-9950
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.108.144438

Tailoring the Switching Efficiency of Magnetic Tunnel Junctions by the Fieldlike Spin-Orbit Torque

Autori: Viola Krizakova, Marco Hoffmann, Vaishnavi Kateel, Siddharth Rao, Sebastien Couet, Gouri Sankar Kar, Kevin Garello, Pietro Gambardella
Pubblicato in: Physical Review Applied, Numero 18, 2022, Pagina/e 044070, ISSN 2331-7019
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevapplied.18.044070

Gate-Tunable Spin Hall Effect in an All-Light-Element Heterostructure: Graphene with Copper Oxide

Autori: Haozhe Yang, Maider Ormaza, Zhendong Chi, Eoin Dolan, Josep Ingla-Aynés, C.K. Safeer, Franz Herling, Nerea Ontoso, Marco Gobbi, Beatriz Martín-García, Frederik Schiller, Luis E. Hueso, and Fèlix Casanova.
Pubblicato in: Nano Letters, Numero 12, 10, 2023, Pagina/e 4406–4414, ISSN 1530-6992
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c00687

Conference proceedings (2)

First demonstration of field-free perpendicular SOT-MRAM for ultrafast and high-density embedded memories

Autori: K. Cai, G Talmelli, K Fan, S Van Beek, V Kateel, M Gupta, MG Monteiro, M Ben Chroud, G Jayakumar, A Trovato, S Rao, GS Kar, S Couet
Pubblicato in: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2022, 2022
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/iedm45625.2022.10019360

MTJ degradation in multi-pillar SOT-MRAM with selective writing

Autori: Simon Van Beek, Kaiming Cai, Kaiquan Fan, Giacomo Talmelli, Anna Trovato, Nico Jossart, Siddharth Rao, Adrian Chasin, Sebastien Couet
Pubblicato in: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023, Pagina/e 1-7
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/irps48203.2023.10117917