Active dielectric-on-Si3N4 double layer platform

Información del proyecto

aSINdo

Identificador del acuerdo de subvención: 964006

DOI

10.3030/964006

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 14 Noviembre 2020

Fecha de inicio 1 Diciembre 2020

Fecha de finalización 31 Mayo 2022

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Coste total

Sin datos

Aportación de la UE

€ 150 000,00

Coordinado por

UNIVERSITEIT TWENTE
Netherlands

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Publicaciones

Conference proceedings (1)

Low-loss chemical mechanically polished Al2O3 thin films for UV integrated photonics

Autores: S. Mardani, M. Dijkstra, W.A.P.M. Hendriks, M.P. Nijhuis - Groen ,S.M. Garcia-Blanco
Publicado en: Proceedings of ECIO 2022, 2022, Página(s) 390-392
Editor: European Conference on Integrated Optics