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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Contenu archivé le 2022-12-23

Investigation of ion implantation in silicon carbide for the fabrication of advanced high power devices

Objectif

The main objective of the proposal is the development of advanced high current SiC devices. The test SiC device structures will be fabricated by ion implantation and post-implanted anneals. In such structures both the low forward voltages and breakdown voltages near to theoretical values for given structures will be obtained.
Detailed investigation of starting SiC samples will be carried out for these purpose. The effect of different ion implanted and annealed parameters on structural, optical and electrical characteristics of SiC p-n structures will be investigated to fulfil the main goal of the project. Damage accumulation and its redistribution during ion implantation and post-implanted anneals will be elucidated. Low receptivity Ohmic contacts to n- and p-types SiC will be created.
A number of techniques will be used for investigation ion implanted SiC structures. We will demonstrate SiC device structures created by ion implantation with post-implanted anneals.
A new level of understanding the defect interactions in ion-irradiated silicon carbide is expected as result of the study. This will strongly promote future applications of silicon carbide devices in high-speed high power devices for more efficient energy conversion and transmission power systems.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

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Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

Données non disponibles

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

Données non disponibles

Coordinateur

Kungliga Tekniska Hogskolan
Contribution de l’UE
Aucune donnée
Adresse
Valhallavagen 79
10044 Stockholm
Suède

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Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

Aucune donnée

Participants (6)

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