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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Contenu archivé le 2022-12-23

Mechanisms of formation and modification of semiconductor nanocrystals (quantum dots) in SiO2 matrix, using ion implantation, for improvement of their optical and electrical properties

Objectif

The aims of this work are the following:
To establish the main physico-chemical factors that determine the peculiarities of the semiconductor nanocrystal growths in the SiO2 matrix (SiO2:nc) under ion implantation, molecular-beam deposition and subsequent annealing.
To develop the physico-chemical background of the enhancing luminescence properties and of the modification of the non-linear optical and electrical properties of SiO2:nc under shallow impurity doping.
The work will be based on the previously revealed in the Physico-Technical Research Institute of Nizhnii Novgorod State University and in the Institute of Semiconductor Physics of SBRAS regularities of the photoluminescence variation in the SiO2 with imbedded Si nanocrystals (SiO2:Si) under excess Si concentration variation and under doping by donor impurity (phosphorus). In the frame of this Project, the influence of the various combination of Si doses, additional ion doping with the impurities (including shallow acceptors and donors) and annealing conditions on the nanocrystal growth processes and the properties of SiO2: Si will be established. The distributions of impurity atoms and their redistribution between nanoinclusions and matrix, the chemical states and the positions of these atoms in the lattice will be investigated. The theoretical analysis of the processes of nanocrystal growth and of the impurity effect on the luminescence and electrical properties of SiO2: Si will be carried out.
To reach the objectives of the project, the following experimental methods will be used: SIMS, electron spectroscopy, ESR, electron microscopy, atomic force microscopy. The computer and analytic modelling will be performed.
As a result of the Project, the following models will be developed: Si nanocrystal growth in SiO2 matrix; luminescence in SiO2: Si with impurity centres; the tunnel current in such a system. The fulfilment of the Project will give the essential contribution to the novel scientific field - Physics and Chemistry of the "Quantum dots in insulator matrix" - nanocompositions. Moreover, the results of the Project will be used in the future for the development of the new technology of production of effective optoelectronic and nanoelectronic silicon-based devices: light-emitters, non-linear optical units, and single-electron devices.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

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Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

Données non disponibles

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

Données non disponibles

Coordinateur

B-P-E INTERNATIONAL DR. HORNIG GMBH
Contribution de l’UE
Aucune donnée
Adresse
Foehrenstrasse 51
90542 ECKENTAL
Allemagne

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Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

Aucune donnée

Participants (6)

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