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CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
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Inhalt archiviert am 2022-12-23

Mechanisms of formation and modification of semiconductor nanocrystals (quantum dots) in SiO2 matrix, using ion implantation, for improvement of their optical and electrical properties

Ziel

The aims of this work are the following:
To establish the main physico-chemical factors that determine the peculiarities of the semiconductor nanocrystal growths in the SiO2 matrix (SiO2:nc) under ion implantation, molecular-beam deposition and subsequent annealing.
To develop the physico-chemical background of the enhancing luminescence properties and of the modification of the non-linear optical and electrical properties of SiO2:nc under shallow impurity doping.
The work will be based on the previously revealed in the Physico-Technical Research Institute of Nizhnii Novgorod State University and in the Institute of Semiconductor Physics of SBRAS regularities of the photoluminescence variation in the SiO2 with imbedded Si nanocrystals (SiO2:Si) under excess Si concentration variation and under doping by donor impurity (phosphorus). In the frame of this Project, the influence of the various combination of Si doses, additional ion doping with the impurities (including shallow acceptors and donors) and annealing conditions on the nanocrystal growth processes and the properties of SiO2: Si will be established. The distributions of impurity atoms and their redistribution between nanoinclusions and matrix, the chemical states and the positions of these atoms in the lattice will be investigated. The theoretical analysis of the processes of nanocrystal growth and of the impurity effect on the luminescence and electrical properties of SiO2: Si will be carried out.
To reach the objectives of the project, the following experimental methods will be used: SIMS, electron spectroscopy, ESR, electron microscopy, atomic force microscopy. The computer and analytic modelling will be performed.
As a result of the Project, the following models will be developed: Si nanocrystal growth in SiO2 matrix; luminescence in SiO2: Si with impurity centres; the tunnel current in such a system. The fulfilment of the Project will give the essential contribution to the novel scientific field - Physics and Chemistry of the "Quantum dots in insulator matrix" - nanocompositions. Moreover, the results of the Project will be used in the future for the development of the new technology of production of effective optoelectronic and nanoelectronic silicon-based devices: light-emitters, non-linear optical units, and single-electron devices.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

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Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

Daten nicht verfügbar

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

Daten nicht verfügbar

Koordinator

B-P-E INTERNATIONAL DR. HORNIG GMBH
EU-Beitrag
Keine Daten
Adresse
Foehrenstrasse 51
90542 ECKENTAL
Deutschland

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Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten

Beteiligte (6)

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