Fabricación de películas delgadas
La epitaxia de haces moleculares ofrece una técnica estándar de deposición de capas finas de material semiconductor en un sustrato adecuado. Se han colocado un nitruro de galio y nitruros relacionados, derivados de una fuente avanzada de nitrógeno, en silicio y zafiro hasta formar materiales semiconductores dotados de excelentes propiedades. La fuente de los nitruros la constituye una fuente de plasma mediante resonancia ciclotrón de electrones que funciona a 2,45 GHz. Un inyector de amoniaco produce, a temperaturas inferiores a 600° C, buenos índices de crecimiento de un material de buena calidad. El inyector es capaz de alcanzar temperaturas superiores con fines de limpieza. Las operaciones de uniformidad óptima, dopado y composición de aleaciones de las capas se obtienen mediante un proceso escrupuloso de posicionamiento de fuente. Las propiedades de las capas así producidas dan prueba de un nivel de calidad suficiente para incorporarse a todo tipo de dispositivos, desde transistores de efecto de campo hasta diodos emisores de luz. Además, esta técnica constituye un método rentable y compatible con el medio ambiente, ya que consume menos amoniaco que otros procesos. En trabajos futuros se buscará llevar el nivel de calidad hasta cotas superiores aún y explorar las opciones de nuevos materiales y sustratos. En este sentido, la detección ultravioleta supone una aplicación de especial interés.
