Fabbricazione di film sottili
L'epitassia a fascio molecolare è una tecnica comunemente utilizzata per depositare strati sottili di materiali semiconduttori su un substrato adeguato. Il nitruro di gallio e nitruri affini, derivati da una fonte avanzata di azoto, viene depositato su del silicio o zaffiro per produrre materiali semiconduttori dalle eccellenti proprietà. La fonte dei nitruri è una fonte di plasma per risonanza ciclotronica elettronica che funziona a 2,45 GHz. L'iniettore di ammoniaca, a temperature inferiori ai 600°C, produce discreti tassi di crescita di materiale di buona qualità. L'iniettore è in grado di funzionare anche a temperature più elevate per operazioni di pulitura. Un accorto posizionamento della fonte consente di ottimizzare gli strati dal punto di vista dell'uniformità, del drogaggio e della composizione della lega. Grazie alle loro proprietà, gli strati prodotti sono di una qualità sufficiente all'impiego in dispositivi come, per esempio, i transistor a effetto di campo e i diodi a emissione luminosa (LED). Si tratta di un metodo economicamente vantaggioso ed ecologico, che richiede una quantità di ammoniaca inferiore ad altri processi. In futuro si cercherà di migliorare ulteriormente la qualità e si esamineranno le possibilità esistenti in termini di nuovi materiali e substrati. La rilevazione all'ultravioletto rappresenta un campo di applicazione particolarmente interessante.
