Elegir la mejor combinación de precursores SBT
La deposición química en fase vapor a partir de organometálicos (MOCVD) es un proceso por el cual se construyen los semiconductores. Existen diferentes elementos organometálicos, pero la clavé está en hallar la combinación adecuada. Expertos de la Universita di Catania en Italia abordaron este problema en el caso de SrBi2Ta2O9, más comúnmente conocido como SBT. Se analizaron en el laboratorio italiano siete precursores organometálicos diferentes, cuatro de estroncio (Sr), dos de bismuto (Bi) y uno de tántalo (Ta). Las condiciones en las que tiene lugar la MOCVD pueden afectar radicalmente al resultado, sobre todo la temperatura y la cantidad de oxígeno presente. Se descubrió que los precursores de estroncio fluorados funcionaban mejor que los precursores no fluorados. Se identificó algo de contaminación, pero se eliminó fácilmente durante el recocido. Otro de los descubrimientos más útiles fue que el aumento de la temperatura a la que se produce el MOVCD mejoraba la cantidad de transporte de masa en uno de los precursores de Bi. El trío más sólido de precursores resultó ser el formado por Sr(tmhd)2pmdeta, Bi(tmhd)3 y Ta (OC2H5)5. Con los resultados de los experimentos de laboratorio en la mano, los fabricantes de semiconductores pueden elegir la combinación ideal de precursores SBT, en función de sus necesidades. Se prevé que el resultado contribuya al uso de Memoria No Volátil (NVM) por parte de las industrias, como tarjetas inteligentes y tecnología RFID. Los científicos de la Universita di Catania pretenden explotar los conocimientos adquiridos durante el proyecto.
